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龙图腾网恭喜深圳市华星光电半导体显示技术有限公司申请的专利阵列基板及其制备方法和显示面板获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114975488B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210751068.8，技术领域涉及：H10D86/60；该发明授权阵列基板及其制备方法和显示面板是由陈远鹏;请求不公布姓名设计研发完成，并于2022-06-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本阵列基板及其制备方法和显示面板在说明书摘要公布了：本申请公开了一种阵列基板及其制备方法和显示面板，阵列基板包括衬底、金属氧化物有源部、栅绝缘部、栅极、层间介质层和源漏极，金属氧化物有源部设置于衬底上，金属氧化物有源部包括同层且连接的半导体部和导通部，导通部的厚度小于半导体部的厚度，栅绝缘部设置于金属氧化物有源部远离衬底的一侧，且与半导体部对应设置，栅极设置于栅绝缘部远离衬底的一侧，栅极与半导体部对应设置，层间介质层覆盖于衬底、金属氧化物有源部、栅绝缘部以及栅极上，源漏极设置于层间介质层上，并与导通部连接。因导通部的厚度降低，使得导通部中的载流子数量降低，降低载流子向半导体部的扩散距离，改善晶体管的阈值电压负偏的情况，从而提高阵列基板的性能。

本发明授权阵列基板及其制备方法和显示面板在权利要求书中公布了：1.一种阵列基板，其特征在于，包括：衬底；金属氧化物有源部，所述金属氧化物有源部设置于所述衬底上，所述金属氧化物有源部包括同层且连接的半导体部和导通部，所述导通部位于所述半导体部两侧，所述导通部的厚度小于所述半导体部的厚度，所述导通部包括同层且连接的第一分部和第二分部，所述第一分部的厚度小于所述第二分部的厚度，所述第一分部和所述第二分部围设形成凹槽，源漏极位于所述凹槽中，且所述第一分部以及所述第二分部均与所述源漏极连接；栅绝缘部，所述栅绝缘部设置于所述金属氧化物有源部远离所述衬底的一侧，且与所述半导体部对应设置；栅极，所述栅极设置于所述栅绝缘部远离所述衬底的一侧，所述栅极与所述半导体部对应设置；层间介质层，所述层间介质层覆盖于所述衬底、所述金属氧化物有源部、所述栅绝缘部以及所述栅极上；以及源漏极，所述源漏极设置于所述层间介质层上，并与所述导通部连接。

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