买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网恭喜河北工业大学申请的专利单驱动控制的串联SiC MOSFET直流固态断路器及配电系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115133506B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210874781.1，技术领域涉及：H02H7/26；该发明授权单驱动控制的串联SiC MOSFET直流固态断路器及配电系统是由辛振;岳远省;薛聚;陈建良设计研发完成，并于2022-07-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本单驱动控制的串联SiC MOSFET直流固态断路器及配电系统在说明书摘要公布了：本发明为一种单驱动控制的串联SiCMOSFET直流固态断路器及配电系统，直流固态断路器包括SiCMOSFET驱动电路、SiCMOSFET器件M1～Mn、驱动电阻Rg1～Rgn、二极管D1～Dn‑1、RCD缓冲电路、压敏电阻MOV和压敏电阻MOVcs；SiCMOSFET驱动电路的一端与SiCMOSFET器件M1的源极连接，SiCMOSFET驱动电路的输出端通过驱动电阻Rg1与SiCMOSFET器件M1的栅极连接；SiCMOSFET驱动电路的输出端同时串联有二极管D1～Dn‑1，二极管D1～Dn‑1通过各自的驱动电阻分别与SiCMOSFET器件M2～Mn的栅极连接；SiCMOSFET器件M2～Mn各连接一个稳压二极管，稳压二极管的阳极与SiCMOSFET器件的源极相连，稳压二极管的阴极与SiCMOSFET器件的栅极相连。解决了器件的栅极振荡问题，降低了导通损耗。

本发明授权单驱动控制的串联SiC MOSFET直流固态断路器及配电系统在权利要求书中公布了：1.一种单驱动控制的串联SiCMOSFET直流固态断路器，其特征在于，该断路器包括SiCMOSFET驱动电路、SiCMOSFET器件M1～Mn、驱动电阻Rg1～Rgn、二极管D1～Dn-1、RCD缓冲电路、压敏电阻MOV和压敏电阻MOVcs；n为大于等于2的正整数；每个SiCMOSFET器件对应一个RCD缓冲电路和一个压敏电阻MOV，压敏电阻MOV的两端与SiCMOSFET器件的源极和漏极连接，每个RCD缓冲电路的电容均并联一个压敏电阻MOVcs，压敏电阻MOV和压敏电阻MOVcs的型号相同；上一个SiCMOSFET器件的漏极和下一个SiCMOSFET器件的源极连接，实现SiCMOSFET器件M1～Mn的串联；SiCMOSFET驱动电路的一端与SiCMOSFET器件M1的源极连接，SiCMOSFET驱动电路的输出端通过驱动电阻Rg1与SiCMOSFET器件M1的栅极连接；SiCMOSFET驱动电路的输出端同时串联有二极管D1～Dn-1，二极管D1～Dn-1通过各自的驱动电阻分别与SiCMOSFET器件M2～Mn的栅极连接；SiCMOSFET器件M2～Mn各连接一个稳压二极管，稳压二极管的阳极与SiCMOSFET器件的源极相连，稳压二极管的阴极与SiCMOSFET器件的栅极相连；所述RCD缓冲电路包括二极管DS、电容CS和电阻RS；二极管DS与电阻Rs并联，二极管DS的阴极与电容Cs的一端连接，电容Cs的另一端与对应SiCMOSFET器件的源极连接，压敏电阻MOVcs并联在电容Cs的两端；上一个RCD缓冲电路的二极管DS的阳极与下一个SiCMOSFET器件的栅极连接，最后一个RCD缓冲电路的二极管DS的阳极与对应SiCMOSFET器件的漏极连接。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人河北工业大学，其通讯地址为：300401 天津市北辰区西平道5340号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。