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龙图腾网恭喜广东工业大学申请的专利一种碲纳米线/二硫化铼的混维偏振光电探测器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115483308B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210926073.8，技术领域涉及：H10F71/00；该发明授权一种碲纳米线/二硫化铼的混维偏振光电探测器及其制备方法是由杨玉珏;李鑫;王瀚宇;霍能杰;董华锋;张欣;吴福根设计研发完成，并于2022-08-03向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种碲纳米线/二硫化铼的混维偏振光电探测器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种碲纳米线二硫化铼的混维偏振光电探测器及其制备方法，该光电探测器包括衬底，设置于衬底上的薄层ReS2，设置于薄层ReS2上的碲纳米线，该薄层ReS2上和碲纳米线的一端分别设置有电极层，且该薄层ReS2选用优化后的CVD工艺生长，碲纳米线选用PVD工艺生长，薄层ReS2和碲纳米线经PVDPDMS干法转移技术转移至目标衬底上，形成一维二维的混维异质结；在异质结两端设置金属电极，制成偏振光电探测器。该探测器表现出优良的伏效应，动态光响应时间约20ms，并且表现出优越的偏振敏感光检测性能，各向异性光电流比达2.7。

本发明授权一种碲纳米线/二硫化铼的混维偏振光电探测器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种碲纳米线二硫化铼的混维偏振光电探测器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：选用水平管式炉和CVD工艺生长二维ReS2，包括称量质量比为100至2000的前驱体硫粉和ReO3粉末，分别放置于石英舟中，将盛放有ReO3粉末的石英舟放置于水平管式炉的中部位置，盛有硫粉的石英舟放在水平管式炉中上游段靠近管口位置，生长衬底放置在ReO3石英舟的正上方，首先，使用高纯度的氩气排净石英管中的空气；然后在45～60min内加热到600～800℃，在80～100sccm恒流高纯度氩气下，保持温度15～20min；最后，随炉冷却至室温；选用PVD工艺在管式炉中生长Te纳米线，包括将高纯度的Te粉末放置于石英舟中，随后将该石英舟放置于管式炉的中部位置，SiO2Si生长衬底放置于气流的下游区域，随后在无氧的环境中，设置管式炉在25~30min内加热至450～500℃时，通入气体流量为100～500sccm的氩气和氢气的混合气体，保持生长时间为1~3min，随后关闭气体，在空气中快速冷却；选用PVA干法转移工艺，将厚度为1～50nm的ReS2薄层转移至SiO2Si衬底上；选用PVA干法转移工艺，将Te纳米线转移至ReS2薄层上，形成碲纳米线二硫化铼混维异质结；在所述Te纳米线的一端和ReS2薄层上分别制作第一电极和第二电极，第一电极不与ReS2薄层接触，第二电极不与Te纳米线接触。

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