恭喜厦门士兰明镓化合物半导体有限公司郑锦坚获国家专利权
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龙图腾网恭喜厦门士兰明镓化合物半导体有限公司申请的专利发光二极管及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115360275B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211091655.5，技术领域涉及：H10H20/812；该发明授权发光二极管及其制造方法是由郑锦坚;高默然;丘金金;邬元杰;常亮;毕京锋设计研发完成，并于2022-09-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本发光二极管及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种发光二极管及其制造方法，所述发光二极管包括自下向上的衬底、第一半导体层、量子阱层和第二半导体层，所述第一半导体层的掺杂类型为n型，所述第二半导体层包括堆叠的至少三层半导体层，最底层的所述半导体层与所述量子阱层之间以及相邻的所述半导体层之间均形成有非故意掺杂AlN层，且最底层和最顶层的所述半导体层的掺杂类型为p型，剩余的所述半导体层的掺杂类型为p型或者为非故意掺杂，所述非故意掺杂AlN层与所述量子阱层和所述半导体层的交界处均形成有二维空穴气。本发明的技术方案使得量子阱层中的电子和空穴浓度差异减小，进而使得发光二极管的光电转换效率得到明显提高。
本发明授权发光二极管及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种发光二极管，其特征在于，包括自下向上的衬底、第一半导体层、量子阱层和第二半导体层，所述第一半导体层的掺杂类型为n型，所述第二半导体层包括堆叠的至少三层半导体层，最底层的所述半导体层与所述量子阱层之间形成有非故意掺杂AlN层，相邻的所述半导体层之间形成有非故意掺杂AlN层，且最底层和最顶层的所述半导体层的掺杂类型为p型，剩余的所述半导体层的掺杂类型为p型或者为非故意掺杂，所述非故意掺杂AlN层与所述量子阱层的交界处形成有二维空穴气，所述非故意掺杂AlN层与所述半导体层的交界处形成有二维空穴气。
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