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龙图腾网恭喜浙江赛晶电子有限公司申请的专利低温氧化掩蔽PN结定向形成钯复合中心的方法及器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115472498B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211236026.7，技术领域涉及：H10D8/01；该发明授权低温氧化掩蔽PN结定向形成钯复合中心的方法及器件是由虞旭俊;贺鸿浩;王俊;蒋杰;金家斌;毛建军;任亮设计研发完成，并于2022-10-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本低温氧化掩蔽PN结定向形成钯复合中心的方法及器件在说明书摘要公布了：本发明公开了一种低温氧化掩蔽PN结定向形成钯复合中心的方法及器件，属于半导体器件制造领域。本发明采用LTOLowTemperatureOxidation低温氧化工艺技术，超高纯度氧气携源硅烷，于LTO氧化炉内低温环境，在已形成沟槽的普通PIN二极管扩散片晶片表面形成致密的氧化物薄膜。再经过光刻和刻蚀工序后，进行精准的定向钯扩散。从而获得Vf正向压降、Trr反向恢复时间等参数集中性很好的扩散基片，显著提高扩散片上的芯片利用率，大幅度提升产品品质。而相比采用价格高昂的离子注入机，本发明大幅度降低成本的同时，可获得与离子注入相对接近的参数品质。

本发明授权低温氧化掩蔽PN结定向形成钯复合中心的方法及器件在权利要求书中公布了：1.一种低温氧化掩蔽PN结定向形成钯复合中心的方法，其特征在于，包括：S1、采用已形成PN结且完成刻蚀开槽的PIN二极管扩散片晶片为材料，完成所述刻蚀开槽后晶片表面形成芯片图形结构，先以纯氧携带硅烷形成第一氧化氛围并进行500~800℃的低温氧化，再以纯氧形成第二氧化氛围继续进行500~800℃的干氧氧化，从而在晶片表面形成氧化物薄膜；S2、在带有氧化物薄膜的晶片上通过匀胶光刻形成图案化的掩膜，使每个芯片台面中心露出氧化层刻蚀窗口，但芯片台面在四周边缘位置以及芯片台面之间的沟槽处依然保留有环绕氧化层刻蚀窗口的掩膜；再对晶片进行氧化层刻蚀，去除各氧化层刻蚀窗口范围内的氧化物薄膜，得到用于附着钯源的附源窗口；S3、将钯源涂布于晶片表面，然后通过烧结进行定向钯扩散，使钯杂质扩散进入晶片内部形成复合中心。

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