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龙图腾网恭喜上海华虹宏力半导体制造有限公司申请的专利一种BTO结构的形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115598918B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211320582.2，技术领域涉及：G03F1/00；该发明授权一种BTO结构的形成方法是由李昊设计研发完成，并于2022-10-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种BTO结构的形成方法在说明书摘要公布了：本发明提出了一种BTO结构的形成方法，应用于较小深宽比的沟槽。在本发明提供的BTO结构的形成方法中，通过改善BTOmaskCell掩膜区图形对图形中所包括的曝光开口区的光刻胶进行曝光、显影形成并打开湿法刻蚀时的药液入口，其他区域保留光刻胶，光刻胶连接成网络状，且均与大块胶块连接，可以最大限度增加光刻胶的支撑能力，防止飘胶风险的出现。之后采用湿法刻蚀工艺经湿法刻蚀时的药液入口去除沟槽内壁预设高度的厚氧化层，还可以避免需要控制表面胶厚与沟槽内曝光深度的精确控制导致的工艺难度与工艺适用性的下降。

本发明授权一种BTO结构的形成方法在权利要求书中公布了：1.一种BTO结构的形成方法，其特征在于，包括：提供一半导体衬底，所述半导体衬底的上表面为第一主面，下表面为第二主面，对所述第一主面进行刻蚀，形成沟槽；形成厚氧化层与光刻胶层，所述厚氧化层覆盖在所述沟槽内壁及除沟槽外的半导体衬底表面上，并在所述厚氧化层的表面上涂布光刻胶，所述光刻胶至少填满沟槽；提供掩膜图形，所述掩膜图形包括第一掩膜图形、第二掩膜图形、以及第三掩膜图形，所述第一掩膜图形包括形状成网络状的光刻胶交联区，所述第二掩膜图形包括多个沿第一方向间隔排列且形状为长方形的栅沟槽区，所述第三掩膜图形包括多个沿第一方向且与所述第二掩膜图形间隔排列的曝光开口区；对所述第三掩膜图形中的曝光开口区进行曝光、显影形成并打开湿法刻蚀时的药液入口；采用湿法刻蚀工艺去除所述除沟槽外的半导体衬底表面及沟槽内壁上一定高度的厚氧化层；刻蚀去除所述沟槽内的光刻胶，并在沟槽内壁及除沟槽外的半导体衬底表面上成长出栅氧化层，形成MOSFET器件。

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