恭喜华中科技大学方海生获国家专利权
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龙图腾网恭喜华中科技大学申请的专利一种用于多元素复合薄膜制备的磁控靶及溅射方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115821220B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211522481.3，技术领域涉及：C23C14/34；该发明授权一种用于多元素复合薄膜制备的磁控靶及溅射方法是由方海生;安巧如;陈浩设计研发完成，并于2022-11-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种用于多元素复合薄膜制备的磁控靶及溅射方法在说明书摘要公布了：本发明属于磁控溅射薄膜沉积相关技术领域，其公开了一种用于多元素复合薄膜制备的磁控靶及溅射方法，磁控靶包括多元素拼接靶、冷却水系统及磁控系统，冷却水系统设置在多元素拼接靶与磁控系统之间；冷却水系统包括冷却水道及磁屏蔽百叶，磁屏蔽百叶设置在冷却水道内，其用于对多元素拼接靶的靶面进行选择性地磁屏蔽；磁屏蔽百叶与多元素拼接靶的位置相对应，且磁屏蔽百叶能够相对于冷却水道旋转及伸缩；磁控靶通过磁屏蔽百叶的旋转及伸缩来控制多元素拼接靶的靶面各个区域的磁场强弱，进而调节多元素拼接靶的各个区域相应元素的溅射强度。本发明实现了单个靶台同时或轮流溅射多种元素，解决了单个磁控靶无法制备复合材料和多层膜的问题。
本发明授权一种用于多元素复合薄膜制备的磁控靶及溅射方法在权利要求书中公布了：1.一种用于多元素复合薄膜制备的磁控靶，其特征在于：所述磁控靶包括多元素拼接靶、冷却水系统及磁控系统，所述冷却水系统设置在所述多元素拼接靶与所述磁控系统之间；所述冷却水系统包括冷却水道及磁屏蔽百叶，所述磁屏蔽百叶设置在所述冷却水道内，其用于对多元素拼接靶的靶面进行选择性地磁屏蔽；所述磁屏蔽百叶与所述多元素拼接靶的位置相对应，且所述磁屏蔽百叶能够相对于所述冷却水道旋转及伸缩；所述磁控靶通过所述磁屏蔽百叶的旋转及伸缩来控制所述多元素拼接靶的靶面各个区域的磁场强弱，进而调节所述多元素拼接靶的各个区域相应元素的溅射强度。
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