恭喜电子科技大学陈飞良获国家专利权
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龙图腾网恭喜电子科技大学申请的专利表面等离激元纳腔集成的纳米空气沟道光混频器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115954402B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211598896.9，技术领域涉及：H10F77/14；该发明授权表面等离激元纳腔集成的纳米空气沟道光混频器是由陈飞良;李沫;张健;李晓旭;王佳超;马培胜;姜昊;杨帆设计研发完成，并于2022-12-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本表面等离激元纳腔集成的纳米空气沟道光混频器在说明书摘要公布了：本发明公开了一种表面等离激元纳腔集成的纳米空气沟道光混频器，属于毫米波太赫兹器件与光电探测器技术领域。该器件包括绝缘衬底，依次设置于其上方的下电极、半导体吸收层、纳米绝缘层；纳米绝缘层上方设置上电极，该上电极从右侧向下延伸至绝缘衬底，且上电极与下电极、半导体吸收层、纳米绝缘层之间设置横向隔离层；上电极与半导体吸收层之间构成纳米空气沟道；上电极与下电极之间构成表面等离激元纳腔。本发明通过将入射光局域压缩在超薄的半导体吸收层内，使其在保持充分光吸收和高响应度的同时实现大带宽；同时通过将半导体吸收层夹在高热导率的电极之间改善散热性，从而同时达到高响应度、大带宽与大输出功率性能。
本发明授权表面等离激元纳腔集成的纳米空气沟道光混频器在权利要求书中公布了：1.一种表面等离激元纳腔集成的纳米空气沟道光混频器，其特征在于：该纳米空气沟道光混频器，包括绝缘衬底、下电极、半导体吸收层、纳米绝缘层、上电极、横向隔离层；所述下电极、半导体吸收层、纳米绝缘层依次设置于绝缘衬底上方，且三者右侧设置横向隔离层；所述上电极设置于纳米绝缘层与横向隔离层的上表面；上电极通过横向隔离层与半导体吸收层及下电极进行隔离，同时横向隔离层也作为半导体吸收层的钝化层和上电极的支撑层；所述上电极与半导体吸收层之间构成纳米空气沟道；所述上电极与下电极之间构成表面等离激元纳腔。
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