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龙图腾网恭喜电子科技大学申请的专利基于SOI的Ge纳米空气沟道光混频器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116014008B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211611083.9，技术领域涉及：H10F77/122；该发明授权基于SOI的Ge纳米空气沟道光混频器是由陈飞良;马培胜;李沫;张健;李晓旭;王佳超;姜昊;杨帆设计研发完成，并于2022-12-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于SOI的Ge纳米空气沟道光混频器在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于SOI的Ge纳米空气沟道光混频器，属于半导体光电探测器与毫米波太赫兹器件技术领域。该器件包括由Si衬底、SiO2层、掺杂Si薄膜构成的SOI衬底；SOI衬底上表面设置下电极和Ge薄膜，Ge薄膜的上方设置绝缘牺牲层、上电极，且上电极与Ge薄膜及SOI衬底通过隔离层进行隔离；绝缘牺牲层向内腐蚀部分区域，构成纳米空气沟道。本发明器件可以采用非晶多晶单晶Ge薄膜，对Ge薄膜生长设备的要求大大降低；采用SOI作为衬底，可以降低器件的寄生电容；并且将掺杂Si薄膜作为载流子收集层和光波导层，在保持高的光吸收率与响应度的同时，能够有效降低吸收层Ge薄膜的厚度，提升器件带宽。

本发明授权基于SOI的Ge纳米空气沟道光混频器在权利要求书中公布了：1.一种基于SOI的Ge纳米空气沟道光混频器，其特征在于：所述的光混频器，包括SOI衬底、下电极、Ge薄膜、隔离层、纳米绝缘牺牲层、上电极；所述SOI衬底，包括下层Si衬底、中层SiO2层、上层掺杂Si薄膜；其中上层掺杂Si薄膜同时作为载流子收集层和光波导层；所述下电极和所述Ge薄膜设置于SOI衬底上表面，且二者间无物理接触；所述Ge薄膜的上方设置绝缘牺牲层；所述Ge薄膜和绝缘牺牲层远离下电极的一侧设置隔离层；所述纳米绝缘牺牲层、隔离层的上方设置上电极；所述隔离层用于将上电极与Ge薄膜、SOI衬底隔离；所述纳米绝缘牺牲层靠近下电极的一侧向内腐蚀部分区域，在所述的Ge薄膜和上电极之间、纳米绝缘牺牲层的外侧为纳米空气沟道。

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