买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网恭喜电子科技大学;电子科技大学重庆微电子产业技术研究院申请的专利一种高精度低噪声无运放结构的带隙基准源获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116339433B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310556226.9，技术领域涉及：G05F1/56；该发明授权一种高精度低噪声无运放结构的带隙基准源是由李泽宏;曾传扬;汪鑫设计研发完成，并于2023-05-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种高精度低噪声无运放结构的带隙基准源在说明书摘要公布了：本发明涉及一种高精度低噪声无运放结构的带隙基准源，属于电子电路领域。该带隙基准源包含启动电路、带隙核心电路。启动电路用于电路上电时启动，具有多次启动功能；带隙核心电路用于产生基准电压。本发明通过在带隙核心电路模块中采用共源共栅电流镜，提高了无运放结构电路的镜像精度，并且通过采用无运放结构，极大降低了带隙电路的整体低频噪声。

本发明授权一种高精度低噪声无运放结构的带隙基准源在权利要求书中公布了：1.一种高精度低噪声无运放结构的带隙基准源，其特征在于：包括启动电路和带隙核心电路；所述启动电路包括第八MOS管M8、第九MOS管M9、第十MOS管M10、第十一MOS管M11和第十二MOS管M12；所述M8、M9和M10的栅极互连并且连接到地AGND，其中M8的源极连接电源电压AVDD，M8的漏极连接M9的源极；所述M9的漏极连接M10的源极；所述M10的漏极与M11的漏极和M12的栅极互连；所述M11的栅极连接电压VREF，M11的源极连接地电压AGND；所述M12的漏极连接电压VBN2，M12的源极连接地电压AGND；所述带隙核心电路包括第一MOS管M1、第二MOS管M2、第三MOS管M3、第四MOS管M4、第五MOS管M5、第六MOS管M6、第七MOS管M7、第十三MOS管M13、第十四MOS管M14、第十五MOS管M15、第一三极管Q1、第二三极管Q2、第三三极管Q3、第四三极管Q4、第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3和第四电阻R4；所述M1的栅极和M12的源极和Q4的集电极互连，M1的源极连接到地电压AGND，M1的漏极和M12的栅极和M14的漏极互连；所述M2的漏极和M3的源极互连；所述M3的栅极和漏极互连；所述M4的源极连接电源电压AVDD，M4的栅极和M5的栅极与M6的漏极互连，M4的漏极连接M6的源极；所述M5的源极连接电源电压AVDD，M5的漏极连接M7的源极；所述M6的栅极和M7的栅极和M3的漏极互连；所述M7的漏极和M15的栅极和Q3集电极互连；所述M15的漏极连接电源电压AVDD，M15的源极电压连接R1和R3的上端；所述Q1的基极和Q4的基极连接R1的下端，即R2的上端，Q1的集电极连接Q2的基极，Q1的发射极连接地电位AGND；所述Q2的集电极连接R3的下端和Q3的基极，Q2的发射极连接地电位AGND；所述Q3的发射极连接地电位AGND。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人电子科技大学;电子科技大学重庆微电子产业技术研究院，其通讯地址为：611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。