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龙图腾网恭喜利晶微电子技术(江苏)有限公司申请的专利图形化巨量转移方法和系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117712264B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311486168.3，技术领域涉及：H10H20/85；该发明授权图形化巨量转移方法和系统是由蒲计志;黄立元;潘彤;王子翔设计研发完成，并于2023-11-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本图形化巨量转移方法和系统在说明书摘要公布了：本发明公开了一种图形化巨量转移方法，首先在暂时基板表面形成固化后的平整状的胶层，排片前将胶层加工成若干阵列分布凸起状胶层孤岛，在排片时，将各芯片分别排至各凸起状胶层孤岛表面；避免线路基板发生因槽内黏胶层的牵拉力而发生翘曲形变。

本发明授权图形化巨量转移方法和系统在权利要求书中公布了：1.图形化巨量转移方法，其特征在于：首先在暂时基板表面形成固化后的平整状的胶层1，排片前将胶层1加工成若干阵列分布凸起状胶层孤岛3，在排片时，将各芯片分别排至各凸起状胶层孤岛3表面；包括如下步骤：步骤一，在暂时基板表面采用旋转涂布的方式均匀涂布预定厚度的胶水；步骤二，将涂布在暂时基板表面的胶水烘干，形成固化后的胶层1；步骤三，在胶层1的表面附着一层光阻剂，形成光阻剂层；步骤四，将光阻剂层烘干；步骤五，通过曝光设备对光阻剂层曝光，光阻剂层暴露在光照下的部分形成纵横交错曝光图案，然后通过显影液溶解暴露在光照部分的光阻剂层，显影后，光阻剂层被溶解的部分形成纵横交错状的显影图案，显影图案处的胶层1处于暴露状态，最后将胶层1未被光阻剂层覆盖的部分刻蚀；胶层被刻蚀的部分形成多条纵横交错的分割沟槽4，纵横交错的分割沟槽4将胶层1分割成若干阵列分布的凸起状胶层孤岛3，各凸起状胶层孤岛3上均覆盖有未曝光的光阻剂层；步骤六，将各凸起状胶层孤岛3上均覆盖的未曝光光阻剂层去除或溶解，使各凸起状胶层孤岛3表面暴露；步骤七，在阵列分布凸起状胶层孤岛3群上表面均匀喷涂胶水；在阵列分布凸起状胶层孤岛3群上表面均匀喷涂胶水的过程中，喷涂的胶水除了一部分附着在凸起状胶层孤岛3上表面，另一部分会附着在纵横交错的分割沟槽4底部，形成槽内黏胶层6；步骤八，半烘干各凸起状胶层孤岛3表面的刚被喷涂的胶水；步骤九，芯片排片机将若干芯片逐个排至若干凸起状胶层孤岛3表面；步骤十，将暂时基板表面有芯片的一侧水平朝下，并将线路基板水平对应于暂时基板正下方，通过位移机构将暂时基板有芯片的一侧与线路基板对位后压合，与此同时加热装置加热，从而使原来附着在各凸起状胶层孤岛3表面的芯片与线路基板接合，完成各芯片的焊接过程；步骤十一，位移机构控制暂时基板与线路基板分离，各芯片均与各凸起状胶层孤岛3分离；在“步骤六”与“步骤七”之间增加两个步骤，增加的两个步骤记为“a步骤”和“b步骤”a步骤：在暂时基板表面有凸起状胶层孤岛3的一侧面涂覆挥发液体，使挥发液体刚好将所有凸起状胶层孤岛3淹没时停止涂覆，此时纵横交错的分割沟槽4内被挥发液体完全填充；b步骤：静置并辅以加热，使“a步骤”中涂覆的挥发液体逐渐均匀挥发，各凸起状胶层孤岛3上表面覆盖的挥发液体率先完全挥发，从而使各凸起状胶层孤岛3重新暴露；随着挥发液的继续挥发，纵横交错的分割沟槽4内的挥发液体逐渐开始挥发而变少，进而使纵横交错的分割沟槽4内的挥发液体的液面逐渐降低，当分割沟槽4内的挥发液体的液面降到底部，但还未完全挥发干净时，纵横交错的分割沟槽4底部形成一层挥发液体隔离层5，“步骤七”在挥发液体隔离层5还未完全挥发之前执行。

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