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龙图腾网恭喜天津应大科讯电气设备有限公司申请的专利一种基于SiC模块功率器件的功率单元获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN222814363U 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-29发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202323383206.0，技术领域涉及：H02M1/00；该实用新型一种基于SiC模块功率器件的功率单元是由柴艳鹏;郭宇泽;曹鸿;赵文晋设计研发完成，并于2023-12-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于SiC模块功率器件的功率单元在说明书摘要公布了：本实用新型属于大功率高频逆变电源设备领域，尤其涉及一种基于SiC模块功率器件的功率单元，包括单元箱壳体和叠层母排，单元箱壳体一侧预留直流输入排，叠层母排置于单元箱壳体内，叠层母排上设SICMOSFET模块，且SICMOSFET模块的一端穿过单元箱壳体直流输入排的相对侧，直流输入排和SICMOSFET模块通过叠层母排实现电气回路连通，叠层母排上靠近直流输入排设直流支撑电容；所述直流支撑电容两侧均设SICMOSFET驱动板，并且在靠近SICMOSFET驱动板的单元箱壳体上分别装有驱动电源板；叠层母排上均匀分布吸收电容，单元箱壳体上方设供电电源以及风机。该功率单元内部电气布局更加合理紧凑，实现更小的空间占用，提高设备整体的工作可靠性、稳定性。

本实用新型一种基于SiC模块功率器件的功率单元在权利要求书中公布了：1.一种基于SiC模块功率器件的功率单元，其特征在于，包括单元箱壳体（9）和叠层母排（7），所述单元箱壳体（9）一侧预留直流输入排（1），所述叠层母排（7）置于单元箱壳体（9）内，叠层母排（7）上设SICMOSFET模块（6），且SICMOSFET模块（6）的一端穿过单元箱壳体（9）上直流输入排（1）的相对侧，所述直流输入排（1）和SICMOSFET模块（6）通过叠层母排（7）实现电气回路连通，所述叠层母排（7）上靠近直流输入排（1）设直流支撑电容（2）；所述直流支撑电容（2）两侧均设SICMOSFET驱动板（3），并且在靠近SICMOSFET驱动板（3）的单元箱壳体（9）上分别装有驱动电源板（4）；所述叠层母排（7）上均匀分布吸收电容（5）。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人天津应大科讯电气设备有限公司，其通讯地址为：301700 天津市武清区福源道75号4号厂房107室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。