买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网恭喜北京大学申请的专利堆叠晶体管的制备方法、堆叠晶体管、器件及设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117995776B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410057642.9，技术领域涉及：H10D84/03；该发明授权堆叠晶体管的制备方法、堆叠晶体管、器件及设备是由吴恒;葛延栋;卢浩然;王润声;黎明;黄如设计研发完成，并于2024-01-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本堆叠晶体管的制备方法、堆叠晶体管、器件及设备在说明书摘要公布了：本申请提供一种堆叠晶体管的制备方法、堆叠晶体管、器件及设备，该方法包括：提供一衬底；依次刻蚀顶部衬底、中间牺牲层和底部衬底，以形成有源结构，有源结构包括第一有源结构和第二有源结构，刻蚀后的中间牺牲层位于第一有源结构和第二有源结构之间；形成间隔设置在第一有源结构表面的第一伪栅结构和包裹第二有源结构的第一浅槽隔离结构；去除刻蚀后的中间牺牲层，以形成第一间隙；在第一间隙中填充绝缘材料，以形成中间介质隔离层，中间介质隔离层用于隔离第一有源结构和第二有源结构；基于第一有源结构和第二有源结构形成第一晶体管和第二晶体管。通过本申请，可以实现第一有源结构和第二有源结构之间的电学隔离。

本发明授权堆叠晶体管的制备方法、堆叠晶体管、器件及设备在权利要求书中公布了：1.一种堆叠晶体管的制备方法、其特征在于，所述方法包括：提供一衬底，所述衬底包括依次堆叠设置的顶部衬底、中间牺牲层和底部衬底；依次刻蚀所述顶部衬底、所述中间牺牲层和所述底部衬底，以形成有源结构，所述有源结构包括第一有源结构和第二有源结构，刻蚀后的中间牺牲层位于所述第一有源结构和所述第二有源结构之间；形成间隔设置在所述第一有源结构表面的第一伪栅结构和包裹所述第二有源结构的第一浅槽隔离结构；去除所述刻蚀后的中间牺牲层，以形成第一间隙；在所述第一间隙中填充绝缘材料，以形成中间介质隔离层，所述中间介质隔离层用于隔离所述第一有源结构和所述第二有源结构；基于所述第一有源结构和所述第二有源结构形成第一晶体管和第二晶体管，所述第一晶体管和所述第二晶体管在垂直于沟道的方向上自对准；所述形成间隔设置在所述第一有源结构表面的第一伪栅结构和包裹所述第二有源结构的第一浅槽隔离结构，包括：形成包裹所述有源结构的第二浅槽隔离结构；去除所述第二浅槽隔离结构的一部分，以暴露所述第一有源结构和所述刻蚀后的中间牺牲层，并形成所述第一浅槽隔离结构；基于所述第一有源结构，形成所述第一伪栅结构；所述第一伪栅结构和所述第一浅槽隔离结构在所述刻蚀后的中间牺牲层处连接。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人北京大学，其通讯地址为：100871 北京市海淀区颐和园路5号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。