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龙图腾网恭喜无锡学院申请的专利一种双面双结硅基GaAs光电探测器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118136712B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410130787.7，技术领域涉及：H10F10/172；该发明授权一种双面双结硅基GaAs光电探测器及其制备方法是由黄瑞;唐明志;阚万誉;吴凯;徐昊;赵东;陶旭;王青;郭业才设计研发完成，并于2024-01-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种双面双结硅基GaAs光电探测器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种双面双结硅基GaAs光电探测器及其制备方法。本光电探测器包括GaAs衬底，所述GaAs衬底一侧依次外延生长AlxGa1‑xAs应力释放层、GaAs吸收层、AlyGa1‑yAs接触层和叉指电极；所述GaAs衬底另一侧依次外延生长绝缘层和Si薄膜层；所述Si薄膜层上设有凸起的Si脊型波导，所述Si脊型波导顶部形成有p+掺杂型Si区，靠近所述Si脊型波导两侧Si薄膜层表面形成有p++掺杂型Si区；所述p+掺杂型Si区上依次外延生长本征i‑Ge吸收层和n++掺杂型Ge层。本光电探测器无干扰地异质集成硅基锗PIN和GaAs光电探测器；本光电探测器波段宽、探测灵敏度高、体积小，适用广泛。

本发明授权一种双面双结硅基GaAs光电探测器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种双面双结硅基GaAs光电探测器，其特征在于，包括GaAs衬底（1），所述GaAs衬底（1）一侧依次外延生长AlxGa1-xAs应力释放层（2）、GaAs吸收层（3）、AlyGa1-yAs接触层（4）和叉指电极（5）；所述GaAs衬底（1）另一侧外延生长绝缘层（6），所述绝缘层（6）上键合或转运压印有Si薄膜层（7）；所述Si薄膜层（7）上设有凸起的Si脊型波导（8），所述Si脊型波导（8）顶部形成有p+掺杂型Si区（9），靠近所述Si脊型波导（8）两侧Si薄膜层（7）表面分别形成有p++掺杂型Si区（71）；所述p+掺杂型Si区（9）上依次外延生长本征i-Ge吸收层（10）和n++掺杂型Ge层（11）；所述p++掺杂型Si区（71）和n++掺杂型Ge层（11）表面依次形成第一电极层（12）和第二电极层（13）；所述第一电极层（12）和第二电极层（13）均包括地极（14）和信号极（15）；所述第一电极层（12）内地极（14）与p++掺杂型Si区（71）连接，所述信号极（15）与n++掺杂型Ge层（11）连接；所述第二电极层（13）内地极（14）和信号极（15）分别与第一电极层（12）内地极（14）和信号极（15）连接；所述绝缘层（6）为0.005～10μm，所述绝缘层（6）为SiO2、Si3N4或Al2O3材料的层构件；所述AlxGa1-xAs应力释放层（2）的厚度为0.01~20μm，其中x的取值范围为0＜x＜1。

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