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龙图腾网恭喜浙江森田新材料有限公司申请的专利一种半导体用低浓度BOE蚀刻液制备装置获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN222805019U 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-29发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202420521472.0，技术领域涉及：B01F27/90；该实用新型一种半导体用低浓度BOE蚀刻液制备装置是由王航帅;舒宇帆;彭晓晖;潘美华设计研发完成，并于2024-03-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半导体用低浓度BOE蚀刻液制备装置在说明书摘要公布了：本实用新型公开了一种半导体用低浓度BOE蚀刻液制备装置，包括制备筒，制备筒上方设有输送机构，制备筒上方安装有制备机构，制备筒上方安装有辅助机构，制备筒下方连接有输出机构，通过在制备筒设置的辅助机构，便于对半导体用低浓度BOE蚀刻液制备装置在制备时产生硫化氢、氯化氢等有害气体进行辅助过滤排出，周围的环境或工作者受到危害，同时在制备筒设置的输出机构，不仅制备后的半导体用低浓度BOE蚀刻液进行辅助输送并冷却处理，还可以对制备后的半导体用低浓度BOE蚀刻液进行辅助检测处理，降低半导体用低浓度BOE蚀刻液输送时能及时发现高浓度的蚀刻液，降低后续制备工艺的影响。

本实用新型一种半导体用低浓度BOE蚀刻液制备装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体用低浓度BOE蚀刻液制备装置，其特征在于，包括制备筒1，所述制备筒1上方设有输送机构2，所述制备筒1上方安装有制备机构3；所述制备筒1上方安装有辅助机构4，所述辅助机构4包括制备筒1上方贯穿的排出管401，所述排出管401的一端贯穿有辅助盒402，所述辅助盒402下方与制备筒1固定连接，所述辅助盒402内壁安装有活性炭板403，所述辅助盒402另一侧开设有等距分布的出气孔404；所述制备筒1下方连接有输出机构5，所述输出机构5包括制备筒1下方贯穿的输出管一501，所述输出管一501的一端连接有检测盒502，所述检测盒502上方贯穿有检测探头503，所述检测盒502一侧贯穿有输出泵一504，所述输出泵一504的输出端连接有输出管二505，所述输出管二505的一端与制备筒1贯穿，所述检测盒502一侧通过连接管二连接有输出泵二506，所述输出管一501表面安装有保温罩一507，所述保温罩一507上贯穿有等距离分布的半导体制冷片508。

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