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龙图腾网恭喜苏州大学申请的专利一种硅基红外波段雪崩光电探测器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118281106B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410358352.8，技术领域涉及：H10F30/225；该发明授权一种硅基红外波段雪崩光电探测器及其制备方法是由张程;李孝峰;黄炳林;吴乘焓;王绍军;陈泽锋设计研发完成，并于2024-03-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种硅基红外波段雪崩光电探测器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种硅基红外波段雪崩光电探测器及其制备方法，包括依次叠层设置的底部电极层、硅膜层以及顶部金属膜层，其中，底部电极层与硅膜层形成欧姆接触，顶部金属膜层与硅膜层形成肖特基接触；该光电探测器通过顶部金属膜层吸收近红外光，产生热载流子注入到硅膜层中，然后被底部电极层收集形成光电流，从而实现了对低于硅能量带隙的红外光的探测；且通过调整硅膜层的厚度以及顶部金属膜层的种类，可实现不同红外波长处的宽带或窄带光学高吸收。此外，该光电探测器在施加3V以下偏压时，可产生光电导增益和雪崩效应，将光电响应度提高3‑4个数量级，在1200‑2000nm波段的响应度达到0.1‑0.35AW，与商用锗和铟镓砷红外光电探测器性能相当。

本发明授权一种硅基红外波段雪崩光电探测器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种硅基红外波段雪崩光电探测器，其特征在于，所述光电探测器包括依次叠层设置的底部电极层、硅膜层以及顶部金属膜层；所述顶部金属膜层与所述硅膜层形成肖特基接触；所述硅膜层厚度为10nm-5μm，所述硅膜层的材料为轻掺杂的n型晶体硅材料或轻掺杂的p型晶体硅材料；所述顶部金属膜层的材料为金、银、铜、铝及包含上述至少两种金属元素的合金中的一种或多种，所述顶部金属膜层与所述底部电极层形成法布里-珀罗腔，所述硅膜层为所述法布里-珀罗腔中的介质层，所述光电探测器通过调整所述硅膜层的厚度可实现不同红外波长处的窄带光电探测；在所述光电探测器两端施加偏压时，硅膜层中会产生强电场，载流子在电场中获得能量加速产生光电导增益和雪崩倍增效应，从而将光电流提高3-4个数量级，提高光电探测器的响应度。

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