恭喜阜宁阿特斯阳光电力科技有限公司;苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;阿特斯阳光电力集团股份有限公司刘志强获国家专利权
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龙图腾网恭喜阜宁阿特斯阳光电力科技有限公司;苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;阿特斯阳光电力集团股份有限公司申请的专利一种用于PERC电池的基片、PERC电池及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111987172B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910435608.X，技术领域涉及：H10F77/30；该发明授权一种用于PERC电池的基片、PERC电池及其制备方法是由刘志强;曹琨;袁中存;费正洪设计研发完成，并于2019-05-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种用于PERC电池的基片、PERC电池及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种用于PERC电池的基片、PERC电池及其制备方法。所述基片包括具有PN结的硅片层，以及从具有PN结的硅片层背面向外依次设置的背面钝化层和保护层；背面钝化层和保护层上开设有多个凹槽，凹槽贯通背面钝化层和保护层；凹槽沿深度方向包括第一凹槽区和第二凹槽区，第二凹槽区位于第一凹槽区的底部且与第一凹槽区连通，第一凹槽区的开口面积大于第二凹槽区的开口面积。所述PERC电池包括：上述基片，设置在基片背面的背场层，以及从基片正面向外依次设置的正面钝化层和正面电极。本发明通过在PERC电池上采用上述结构的凹槽，能够有效减少烧结后背场层材料与硅基底之间空洞的产生。
本发明授权一种用于PERC电池的基片、PERC电池及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种用于PERC电池的基片，其特征在于，所述基片包括具有PN结的硅片层，以及从所述具有PN结的硅片层背面向外依次设置的背面钝化层和保护层；所述背面钝化层和保护层上开设有多个凹槽，所述凹槽贯通所述背面钝化层和所述保护层；所述凹槽沿深度方向包括第一凹槽区和第二凹槽区，所述第二凹槽区位于所述第一凹槽区的底部且与所述第一凹槽区连通，所述第一凹槽区的开口面积大于所述第二凹槽区的开口面积；所述保护层的厚度为80-120nm。
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