恭喜台湾积体电路制造股份有限公司陈志良获国家专利权
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龙图腾网恭喜台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利集成背侧电源网格的半导体装置及其相关的集成电路与制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN110556362B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910462226.6，技术领域涉及：H01L23/538；该发明授权集成背侧电源网格的半导体装置及其相关的集成电路与制造方法是由陈志良;周雷峻;刘逸群;萧锦涛;杨惠婷;林威呈;刘俊宏;曾健庭;杨超源设计研发完成，并于2019-05-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本集成背侧电源网格的半导体装置及其相关的集成电路与制造方法在说明书摘要公布了：本发明实施例涉及一种集成背侧电源网格的半导体装置及其相关的集成电路与制造方法，所述半导体装置包含衬底、介电区、多个导电区、第一导电轨及导电结构。所述介电区位于所述衬底上。所述多个导电区位于所述介电区上。所述第一导电轨位于所述介电区内，且电连接到所述多个导电区的第一导电区。所述导电结构经布置以穿透所述衬底且形成于所述第一导电轨下方。所述导电结构电连接到所述第一导电轨。
本发明授权集成背侧电源网格的半导体装置及其相关的集成电路与制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，其包括：衬底；介电区，其位于所述衬底上；多个导电区，其位于所述介电区上；第一导电轨，其位于所述介电区内，所述第一导电轨电连接到所述多个导电区中的第一导电区，其中所述第一导电区在所述第一导电区接触所述介电区的顶表面的水平处接触所述第一导电轨的顶表面；以及导电结构，其穿透所述衬底且形成于所述第一导电轨下方，所述导电结构电连接到所述第一导电轨。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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