恭喜三星电子株式会社李暻泰获国家专利权
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龙图腾网恭喜三星电子株式会社申请的专利对准标记的高度得以保持的半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN110729278B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910588532.4，技术领域涉及：H01L23/544；该发明授权对准标记的高度得以保持的半导体器件是由李暻泰;崔承勋;郭玟燦;具滋应;朴尚铉设计研发完成，并于2019-07-01向国家知识产权局提交的专利申请。
本对准标记的高度得以保持的半导体器件在说明书摘要公布了：一种半导体器件可以包括：在包括第一区域和第二区域在内的衬底的第一区域上的栅电极结构；覆盖栅电极结构的上表面的封盖结构，封盖结构包括封盖图案以及覆盖封盖图案的下表面和侧壁的第一蚀刻停止图案；在衬底的第二区域上的对准标记，对准标记包括绝缘材料；以及在衬底的第二区域上的填充结构，填充结构覆盖对准标记的侧壁，并且包括第一填充图案、覆盖第一填充图案的下表面和侧壁的第二填充图案以及覆盖第二填充图案的下表面和侧壁的第二蚀刻停止图案。
本发明授权对准标记的高度得以保持的半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，包括：设置在衬底上的栅电极结构；覆盖所述栅电极结构的上表面的封盖结构，所述封盖结构包括：封盖图案；以及第一蚀刻停止图案，覆盖所述封盖图案的下表面和侧壁；设置在所述衬底上的对准标记，所述对准标记包括绝缘材料；以及设置在所述衬底上的填充结构，所述填充结构覆盖所述对准标记的侧壁，并且所述填充结构包括：第一填充图案；第二填充图案，覆盖所述第一填充图案的下表面和侧壁；以及第二蚀刻停止图案，覆盖所述第二填充图案的下表面和侧壁。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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