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龙图腾网恭喜长鑫存储技术有限公司申请的专利具有静电保护功能的输出驱动电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112217505B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910619298.7，技术领域涉及：H03K19/003；该发明授权具有静电保护功能的输出驱动电路是由许杞安设计研发完成，并于2019-07-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本具有静电保护功能的输出驱动电路在说明书摘要公布了：一种输出驱动电路，包括：输出驱动模块，包括第一PMOS管、第二PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管，以及输出端；第一PMOS管的源极连接电源线VDD，漏极与第一NMOS管的漏极连接；第二PMOS管的源极连接至电源线VDD，漏极与第二NMOS管的漏极连接；第一NMOS管的源极、第二NMOS管的源极均连接至地线VSS；输出端连接至第一PMOS管和第一NMOS管的漏极，还连接至第二PMOS管和第二NMOS管的漏极；第一电位控制模块和第二电位控制模块，第一电位控制模块连接至第一PMOS管的栅极、第二PMOS管的栅极，用于在ESD状态下，使第一PMOS管的栅极、第二PMOS管的栅极均具有相同的电位；第二电位控制模块连接至第一NMOS管的栅极、第二NMOS管的栅极，用于在ESD状态下，使第一NMOS管的栅极、第二NMOS管的栅极均具有相同的电位。

本发明授权具有静电保护功能的输出驱动电路在权利要求书中公布了：1.一种具有静电保护功能的输出驱动电路，其特征在于，包括：输出驱动模块，包括第一PMOS管、第二PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管，以及输出端；所述第一PMOS管的源极连接电源线VDD，漏极与所述第一NMOS管的漏极连接；所述第二PMOS管的源极连接至电源线VDD，漏极与所述第二NMOS管的漏极连接；所述第一NMOS管的源极、第二NMOS管的源极均连接至地线VSS；所述输出端连接至所述第一PMOS管和第一NMOS管的漏极，还连接至所述第二PMOS管和第二NMOS管的漏极；第一电位控制模块和第二电位控制模块，所述第一电位控制模块连接至所述第一PMOS管的栅极、所述第二PMOS管的栅极，用于在ESD状态下，使得所述第一PMOS管的栅极、所述第二PMOS管的栅极均具有相同的电位；所述第二电位控制模块连接至所述第一NMOS管的栅极、所述第二NMOS管的栅极，用于在ESD状态下，使得所述第一NMOS管的栅极、所述第二NMOS管的栅极均具有相同的电位；所述第一电位控制模块包括第一控制电压端和第三控制PMOS管；所述第三控制PMOS管的栅极连接至所述第一控制电压端，源极连接至电源线VDD，漏极连接至所述第二PMOS晶体管的栅极；所述第一电位控制模块还包括：第一控制NMOS管和第二控制NMOS管；所述第一控制NMOS管的漏极连接至第一PMOS管的栅极，源极连接至地线VSS，栅极连接至所述第一控制电压端；所述第二控制NMOS管的漏极连接至第二PMOS管的栅极，源极连接至地线VSS，栅极连接至所述第一控制电压端；所述第一电位控制模块还包括第一控制电压输出单元，所述第一控制电压输出单元包括第一电容和第一分压器件，所述第一电容一端连接至电源线VDD，所述第一分压器件连接至第一电容另一端与地线VSS之间，所述第一分压器件与所述第一电容的连接端作为第一控制电压端。

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