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龙图腾网恭喜京东方科技集团股份有限公司;鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司申请的专利薄膜晶体管及其制造方法、阵列基板和显示装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114784115B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210467348.6，技术领域涉及：H10D30/67；该发明授权薄膜晶体管及其制造方法、阵列基板和显示装置是由闫雷;李峰;方业周;樊君;李磊;孟艳艳;姚磊;薛进进;王成龙;王金锋;候林;郭志轩设计研发完成，并于2019-01-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本薄膜晶体管及其制造方法、阵列基板和显示装置在说明书摘要公布了：本公开提供了一种薄膜晶体管及其制造方法、阵列基板和显示装置。所述薄膜晶体管包括：位于衬底一侧的有源层；第一层间电介质层，位于所述有源层远离所述衬底的一侧；源极，贯穿所述第一层间电介质层、且连接到所述有源层；第二层间电介质层，位于所述第一层间电介质层远离所述有源层的一侧、且覆盖所述源极；和漏极，包括第一部分，所述第一部分贯穿所述第二层间电介质层和所述第一层间电介质层、且连接到所述有源层。

本发明授权薄膜晶体管及其制造方法、阵列基板和显示装置在权利要求书中公布了：1.一种薄膜晶体管，包括：位于衬底一侧的有源层、遮光层和栅极，所述遮光层位于所述衬底与所述有源层之间，所述有源层在所述衬底上的正投影与所述遮光层在所述衬底上的正投影重叠；第一层间电介质层，位于所述有源层远离所述衬底的一侧；源极，贯穿所述第一层间电介质层、且连接到所述有源层，存在一个截面，在该截面中，所述源极在所述衬底上的正投影与所述遮光层在所述衬底上的正投影不重叠；第二层间电介质层，位于所述第一层间电介质层远离所述有源层的一侧、且覆盖所述源极；和漏极，包括第一部分和与所述第一部分连接且被配置为与第一电极连接的第二部分，所述第一部分贯穿所述第二层间电介质层和所述第一层间电介质层、且连接到所述有源层，所述第二部分位于所述第二层间电介质层远离所述第一层间电介质层的一侧，其中：所述第二部分被配置为与所述第一电极连接的区域在所述衬底上的正投影与所述栅极在所述衬底上的正投影部分重叠。

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