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龙图腾网恭喜江苏中科智芯集成科技有限公司申请的专利砷化镓系统级扇出封装方法及其结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119314882B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411855309.9，技术领域涉及：H01L21/56；该发明授权砷化镓系统级扇出封装方法及其结构是由张胜男;徐晨龙;张奎;朱晓;童媛设计研发完成，并于2024-12-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本砷化镓系统级扇出封装方法及其结构在说明书摘要公布了：本申请提供了一种砷化镓系统级扇出封装方法及其结构，涉及半导体封装技术领域。该封装方法包括提供具有第一包封体的晶圆片。其中，晶圆片包括多个芯片；芯片采用砷化镓衬底，芯片的正面具有焊盘；第一包封体包覆芯片的背面和侧面。在晶圆片的正面形成具有第一开口的第一光刻胶；第一开口用于露出焊盘。在第一光刻胶上形成与焊盘电连的重布线层。在重布线层上形成与重布线层相连的导电块。形成包覆导电块和重布线层的第二包封体。其中，第二包封体位于第一光刻胶远离第一包封体的一侧。形成与导电块电连的焊球。采用第一包封体和第二包封体对重构晶圆进行六面包封，提高结构可靠性，解决可靠性测试中衬底和重布线层的分层问题。

本发明授权砷化镓系统级扇出封装方法及其结构在权利要求书中公布了：1.一种砷化镓系统级扇出封装方法，其特征在于，包括：提供具有第一包封体（120）的晶圆片；其中，所述晶圆片包括多个芯片（110）；所述芯片（110）采用砷化镓衬底，所述芯片（110）的正面具有焊盘（111）；所述第一包封体（120）包覆所述芯片（110）的背面和侧面；在所述晶圆片的正面形成具有第一开口（131）的第一光刻胶（130）；所述第一开口（131）用于露出所述焊盘（111）；其中包括：将掩模版设于所述第一光刻胶（130）和光源之间；其中，所述掩模版上具有第一遮光区和第二遮光区，所述第一遮光区与所述芯片（110）的焊盘（111）对应设置；所述第二遮光区与所述晶圆片上的切割道对应设置；所述掩模版上还设有二次见光区；所述二次见光区位于所述切割道的环形边缘；对所述第一光刻胶（130）进行两次曝光处理；其中，第一次曝光处理中，光源对所述掩模版上除所述第一遮光区和所述第二遮光区以外的区域进行照射；第二次曝光处理中，光源对所述二次见光区进行照射；在所述第一光刻胶（130）上形成与所述焊盘（111）电连的重布线层（150）；在所述重布线层（150）上形成与所述重布线层（150）相连的导电块（180）；形成包覆所述导电块（180）和所述重布线层（150）的第二包封体（190）；其中，所述第二包封体（190）位于所述第一光刻胶（130）远离所述第一包封体（120）的一侧；形成与所述导电块（180）电连的焊球（181）。

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