恭喜苏州长光华芯光电技术股份有限公司;苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司王俊获国家专利权
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龙图腾网恭喜苏州长光华芯光电技术股份有限公司;苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司申请的专利半导体发光结构及其制备方法和测试方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119362143B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411886875.6，技术领域涉及：H01S5/042；该发明授权半导体发光结构及其制备方法和测试方法是由王俊;刘武灵;谭少阳;邵烨;李泉灵;闵大勇;邓国亮;张弘;苟于单设计研发完成，并于2024-12-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体发光结构及其制备方法和测试方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种半导体发光结构及其制备方法和测试方法，半导体发光结构包括：半导体衬底层；有源层，位于半导体衬底层的一侧；第一电极层，位于所述半导体衬底层背离所述有源层的一侧；其中，第一电极层中具有多个开口，开口贯穿第一电极层，多个开口沿第一方向和第二方向呈周期性阵列排布，沿第一方向相邻开口之间的间隔距离小于或等于10微米，沿第二方向相邻开口之间的间隔距离小于或等于10微米，开口在第一方向的尺寸与多个开口在第一方向的周期尺寸的比值小于或等于60%，开口在第二方向的尺寸与多个开口在第二方向的周期尺寸的比值小于或等于60%。
本发明授权半导体发光结构及其制备方法和测试方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体发光结构，其特征在于，包括：半导体衬底层；有源层，位于半导体衬底层的一侧；第一电极层，位于所述半导体衬底层背离所述有源层的一侧；其中，所述第一电极层中具有多个开口，所述开口贯穿第一电极层，多个所述开口沿第一方向和第二方向呈周期性阵列排布，沿第一方向相邻开口之间的间隔距离小于或等于10微米，沿第二方向相邻开口之间的间隔距离小于或等于10微米，所述开口在第一方向的尺寸与多个开口在第一方向的周期尺寸的比值小于或等于60%，所述开口在第二方向的尺寸与多个开口在第二方向的周期尺寸的比值小于或等于60%；其中，所述第二方向与所述第一方向垂直。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人苏州长光华芯光电技术股份有限公司;苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司，其通讯地址为：215163 江苏省苏州市高新区漓江路56号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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