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龙图腾网恭喜南京云程半导体有限公司;上海云攀半导体有限公司申请的专利电容结构和半导体结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119364777B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411901761.4，技术领域涉及：H10D1/60；该发明授权电容结构和半导体结构是由张先强设计研发完成，并于2024-12-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本电容结构和半导体结构在说明书摘要公布了：本申请实施例涉及半导体技术领域，提供一种电容结构和半导体结构，电容结构包括：至少一个包括沿第一方向依次间隔排布的第一主极板、至少两个第一延展部和多个第一导电通孔的第一极板结构；第一导电通孔连接第一主极板和最靠近第一主极板的第一延展部，或连接相邻两个第一延展部；至少一个包括沿第二方向依次间隔排布的第二主极板、至少两个第二延展部和多个第二导电通孔的第二极板结构；第二导电通孔连接第二主极板和最靠近第二主极板的第二延展部，或连接相邻两个第二延展部；第二延展部至少具有沿第一方向延伸的4个侧壁，第一延展部至少环绕第二延展部的2个侧壁。本申请实施例至少有利于提高电容结构的品质因子。

本发明授权电容结构和半导体结构在权利要求书中公布了：1.一种电容结构，其特征在于，包括：至少一个第一极板结构，所述第一极板结构包括沿第一方向依次间隔排布的第一主极板和至少两个第一延展部，以及多个第一导电通孔；所述第一导电通孔连接所述第一主极板和最靠近所述第一主极板的所述第一延展部，或者，连接相邻两个所述第一延展部；至少一个第二极板结构；所述第二极板结构包括沿第二方向依次间隔排布的第二主极板和至少两个第二延展部，以及多个第二导电通孔；所述第二导电通孔连接所述第二主极板和最靠近所述第二主极板的所述第二延展部，或者，连接相邻两个所述第二延展部，所述第一方向和所述第二方向相反；其中，所述第二延展部至少具有沿所述第一方向上延伸的4个侧壁，所述第一延展部至少环绕所述第二延展部的2个所述侧壁；沿所述第一方向上正对的一所述第一极板结构和一所述第二极板结构构成一电容基本单元，同一所述电容基本单元中，所述第一主极板和所述第二主极板中的一者为上极板，另一者为下极板，所述上极板的极性与所述下极板的极性不同；多个所述电容基本单元沿第三方向间隔排布和或沿第四方向间隔排布，所述第一方向、所述第三方向和所述第四方向两两相交；其中，沿所述第三方向相邻的两个所述电容基本单元中，相邻的两个所述第一主极板中的一者为所述上极板，另一者为所述下极板；和或，沿所述第四方向相邻的两个所述电容基本单元中，相邻的两个所述第一主极板中的一者为所述上极板，另一者为所述下极板。

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