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恭喜苏州旗芯微半导体有限公司章彬获国家专利权

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龙图腾网恭喜苏州旗芯微半导体有限公司申请的专利电压转换电路获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN119401827B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-11发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202411960610.6,技术领域涉及:H02M3/158;该发明授权电压转换电路是由章彬;吴建舟;王洋设计研发完成,并于2024-12-30向国家知识产权局提交的专利申请。

电压转换电路在说明书摘要公布了:本发明提供一种电压转换电路,包括:第一倒相器的输入端作为电压转换电路的输入端,第一倒相器的输出端连接第二NMOS管的栅端,第二NMOS管的漏端连接第一NMOS管的源端,第一NMOS管的栅端连接第五NMOS管的源端、第六NMOS管的漏端,第一NMOS管的漏端连接第一PMOS管的漏端、第三PMOS管的栅端,第三PMOS管的漏端连接第三倒相器的输入端、第三NMOS管的漏端,第三NMOS管的源端连接第四NMOS管的漏端,第四NMOS管的栅端连接第二倒相器的输出端,第三倒相器的输出端为电压转换电路的输出端。本发明电压转换电路转换速度较快。

本发明授权电压转换电路在权利要求书中公布了:1.一种电压转换电路,其特征在于,所述电压转换电路包括第一倒相器、第二倒相器、第三倒相器、第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管、第六NMOS管、第一PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第五PMOS管;所述第一倒相器的输入端作为所述电压转换电路的输入端,接收输入信号;所述第一倒相器、所述第二倒相器依次相串联,所述第一倒相器的输出端连接所述第二NMOS管的栅端,所述第二NMOS管的源端连接地,所述第二NMOS管的漏端连接所述第一NMOS管的源端,所述第一NMOS管的栅端连接所述第五NMOS管的源端、所述第六NMOS管的漏端,所述第六NMOS管的源端连接地,所述第六NMOS管的栅端连接所述第三倒相器的输入端,所述第五NMOS管的漏端连接第二工作电压,所述第五NMOS管的栅端连接所述第三倒相器的输出端,所述第一NMOS管的漏端连接所述第一PMOS管的漏端、所述第三PMOS管的栅端,所述第一PMOS管的栅端连接所述第三倒相器的输出端,所述第一PMOS管的源端连接第三工作电压,所述第三PMOS管的源端连接所述第三工作电压,所述第三PMOS管的漏端连接所述第三倒相器的输入端、所述第三NMOS管的漏端,所述第三NMOS管的栅端连接所述第二工作电压,所述第三NMOS管的源端连接所述第四NMOS管的漏端,所述第四NMOS管的栅端连接所述第二倒相器的输出端,所述第四NMOS管的源端连接地,所述第五PMOS管的漏端连接所述第三倒相器的输入端,所述第五PMOS管的栅端连接所述第三倒相器的输出端,所述第五PMOS管的源端连接所述第三工作电压,所述第四PMOS管的漏端连接所述第三倒相器的输入端,所述第四PMOS管的栅端接收置位信号,所述第四PMOS管的源端连接所述第三工作电压,所述第三倒相器的输出端为所述电压转换电路的输出端,所述输入信号的电压为第一工作电压,所述第一工作电压小于所述第二工作电压,且所述第二工作电压小于所述第三工作电压。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人苏州旗芯微半导体有限公司,其通讯地址为:215000 江苏省苏州市高新区金山东路78号2幢Z104室2层213;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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