恭喜芯联集成电路制造股份有限公司方田获国家专利权
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龙图腾网恭喜芯联集成电路制造股份有限公司申请的专利半导体器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119421460B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510019185.9，技术领域涉及：H10D30/66；该发明授权半导体器件及其制造方法是由方田;汪旭东设计研发完成，并于2025-01-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种半导体器件及其制造方法，半导体器件包括：基底；两个体区，形成于所述基底中，两个所述体区之间的所述基底中形成有凹槽；第二外延层，形成于所述基底上，所述第二外延层从部分所述体区上延伸至所述凹槽的侧壁上；源极区，形成于所述体区中，所述源极区从所述第二外延层远离所述凹槽的一侧延伸至所述第二外延层下方，所述基底、所述第二外延层、所述源极区的掺杂类型与所述体区的掺杂类型相反；栅氧层，形成于所述第二外延层的表面和所述凹槽的底壁；栅极层，形成于所述栅氧层上，所述栅极层从所述第二外延层上方的所述栅氧层上延伸至所述凹槽侧壁的所述栅氧层上。本发明的技术方案使得能够提高器件性能。
本发明授权半导体器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括：基底；两个体区，形成于所述基底中，两个所述体区之间的所述基底中形成有凹槽，所述凹槽的底壁高于所述体区的底面；第二外延层，形成于所述基底上，所述第二外延层从部分所述体区上延伸至所述凹槽的侧壁上；源极区，形成于所述体区中，所述源极区从所述第二外延层远离所述凹槽的一侧延伸至所述第二外延层下方，所述基底、所述第二外延层、所述源极区的掺杂类型与所述体区的掺杂类型相反；栅氧层，形成于所述第二外延层的表面和所述凹槽的底壁；栅极层，形成于所述栅氧层上，所述栅极层从所述第二外延层上方的所述栅氧层上延伸至所述凹槽侧壁的所述栅氧层上。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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