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龙图腾网恭喜中国科学院半导体研究所申请的专利用于传感器像素阵列的片上偏置驱动系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119421068B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510020264.1，技术领域涉及：H04N25/70；该发明授权用于传感器像素阵列的片上偏置驱动系统是由章宦慧;刘力源;于双铭;窦润江;冯鹏;刘剑;吴南健设计研发完成，并于2025-01-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本用于传感器像素阵列的片上偏置驱动系统在说明书摘要公布了：本发明提供了一种用于传感器像素阵列的片上偏置驱动系统，涉及集成电路技术及图像传感领域。片上偏置驱动系统包括：像素阵列，包括多个像素单元，每一个像素单元包括第一晶体管和第二晶体管；第一电压生成器，被配置为根据参考电流产生第一电压，第一电压被加载至每一个第一晶体管的栅极，第一电压的大小由第一数字码控制，以控制第一晶体的电流大小；第二电压生成器，被配置为根据基准电压产生第二电压，第二电压被加载至每一个第二晶体管的栅极，第二电压的大小由第二数字码控制，以使第二晶体管控制像素单元中的直流工作点或者产生像素单元内部的比较电压。

本发明授权用于传感器像素阵列的片上偏置驱动系统在权利要求书中公布了：1.一种用于传感器像素阵列的片上偏置驱动系统，其特征在于，包括：像素阵列，包括多个像素单元，每一个所述像素单元包括第一晶体管和第二晶体管；第一电压生成器，被配置为根据参考电流产生第一电压，所述第一电压被加载至每一个所述第一晶体管的栅极，所述第一电压的大小由第一数字码控制，以控制所述第一晶体的电流大小；所述第一电压生成器包括：电流镜，被配置为将所述参考电流进行复制后传输至所述电流镜的输出极；K个开关，每一个所述开关包括第一端和第二端，每一个第一端连接至所述输出极，K为大于或等于1的正整数；K+1个N型晶体管，每一个所述N型晶体管的源极连接固定地电位，每一个所述N型晶体管的栅极连接至所述输出极，所述K+1个N型晶体管的第一N型晶体管的漏极连接所述输出极，其余K个N型晶体管的漏极分别连接相对应的所述第二端；其中，所述第一数字码被设定为作用于所述K个开关，通过控制每一个开关的通断，使所述电流镜的漏极产生所述第一电压；第二电压生成器，被配置为根据基准电压产生第二电压，所述第二电压被加载至每一个所述第二晶体管的栅极，所述第二电压的大小由第二数字码控制，以使所述第二晶体管控制所述像素单元中的直流工作点或者产生所述像素单元内部的比较电压；所述第二电压生成器包括：第一放大器，包括第一正向输入端、第一反向输入端和第一输出端，所述第一反向输入端和第一输出端相连，所述第一正向输入端用于接收并输入所述基准电压；电阻串，由2T个电阻依次串联形成，所述电阻串的一端连接所述第一输出端，所述电阻串的另一端连接固定地电位，T为大于或等于1的正整数；多路选择器，包括2T个选择端，每一个所述选择端分别连接相对应的所述电阻的靠近所述第一输出端的节点；其中，所述第二数字码被设定为作用于所述多路选择器，通过选择所述2T个电阻的不同节点处的电压作为所述第二电压。

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