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龙图腾网恭喜苏州实验室申请的专利一种忆阻阵列及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119562525B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510121333.8，技术领域涉及：H10B63/00；该发明授权一种忆阻阵列及其制备方法是由杨亚霖;杨赢;顾泓;徐呈甲;朱鹏;杨晓琴;肖安康设计研发完成，并于2025-01-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种忆阻阵列及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种忆阻阵列及其制备方法，忆阻阵列包括：衬底、氧化物功能层、电极。衬底为第一导电类型；衬底包括第一区域和第二区域，第一区域的掺杂浓度大于第二区域的掺杂浓度；第一区域包括多个子区，子区沿第一方向延伸，且多个子区沿第二方向间隔排列；第一方向与第二方向相互垂直；氧化物功能层为第二导电类型，氧化物功能层位于衬底的一侧，氧化物功能层在衬底的垂直投影位于子区内；电极位于氧化物功能层远离衬底的一侧；电极覆盖部分氧化物功能层；电极包括多个电极条，电极条沿第二方向延伸，且多个电极条沿第一方向间隔排列。本发明结构简单，制备方法与CMOS工艺兼容，集成度高，且避免了忆阻阵列工作过程中忆阻单元间的串扰问题。

本发明授权一种忆阻阵列及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种忆阻阵列，其特征在于，包括：衬底，所述衬底为第一导电类型；所述衬底包括第一区域和第二区域，所述第一区域的掺杂浓度大于所述第二区域的掺杂浓度；所述第一区域包括多个子区，所述子区沿第一方向延伸，且所述多个子区沿第二方向间隔排列；所述第一方向与所述第二方向相互垂直；氧化物功能层，所述氧化物功能层为第二导电类型，所述氧化物功能层位于所述衬底的一侧，所述氧化物功能层在所述衬底的垂直投影位于所述子区内；所述氧化物功能层包括多个功能单元，每一所述功能单元沿第一方向延伸，且多个所述功能单元沿第二方向间隔排列；电极，所述电极位于所述氧化物功能层远离所述衬底的一侧；所述电极覆盖部分所述氧化物功能层；所述电极包括多个电极条，所述电极条沿所述第二方向延伸，且所述多个电极条沿所述第一方向间隔排列；掩膜层，所述掩膜层与所述氧化物功能层同层设置，所述掩膜层覆盖部分所述衬底的第二区域。

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