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龙图腾网恭喜山西创芯光电科技有限公司申请的专利一种超晶格红外探测器芯片制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119653912B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510169589.6，技术领域涉及：H10F71/00；该发明授权一种超晶格红外探测器芯片制作方法是由张竟;张培峰;苏莹;李水利;王慧云;王书浩设计研发完成，并于2025-02-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种超晶格红外探测器芯片制作方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种超晶格红外探测器芯片制作方法，属于红外探测器制作技术领域；解决了当前去除硬掩膜的方案，未考虑到去除硬掩膜时光刻工艺的精度波动，导致产品性能低或产品良率低的问题；包括以下步骤：硬掩膜成膜：在超晶格材料的晶圆表面生长一定厚度的硬掩膜；上电极台面光刻；硬掩膜刻蚀：以光刻胶做掩膜，采用ICP技术刻蚀硬掩膜得到上电极台面掩膜图形；上电极台面去胶清洗；下电极台面光刻：采用光刻胶作为下电极台面区域的掩膜，通过光刻技术制作下电极台面区域；台面ICP刻蚀；台面湿法腐蚀；下电极台面去胶清洗；钝化层成膜；钝化层开孔；金电极制作；本发明应用于超晶格红外探测器芯片制备。

本发明授权一种超晶格红外探测器芯片制作方法在权利要求书中公布了：1.一种超晶格红外探测器芯片制作方法，其特征在于：包括以下步骤：S1.1：硬掩膜成膜：在超晶格材料的晶圆表面生长设定厚度的硬掩膜；S1.2：上电极台面光刻：采用光刻技术在硬掩膜上制作上电极台面区域；S1.3：硬掩膜刻蚀：以光刻胶做掩膜，采用ICP技术刻蚀硬掩膜得到上电极台面掩膜图形；S1.4：上电极台面去胶清洗；S1.5：下电极台面光刻：采用光刻胶作为下电极台面区域的掩膜，通过光刻技术制作下电极台面区域；S1.6：台面ICP刻蚀：采用ICP技术刻蚀硬掩膜得到上电极台面图形和下电极台面图形；S1.7：台面湿法腐蚀：湿法腐蚀上电极和下电极，去除侧壁悬挂键；S1.8：下电极台面去胶清洗；S1.9：钝化层成膜；S1.10：钝化层开孔；S1.11：金电极制作。

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