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龙图腾网恭喜南京国科半导体有限公司申请的专利一种基于新型渐变势垒结构的三色红外探测器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119653878B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510179739.1，技术领域涉及：H10F30/26；该发明授权一种基于新型渐变势垒结构的三色红外探测器是由刘胜威设计研发完成，并于2025-02-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于新型渐变势垒结构的三色红外探测器在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于新型渐变势垒结构的三色红外探测器，涉及半导体技术领域，该三色红外探测器包括短波、中波、长波三通道区及渐变势垒层，仅设置上电极与下电极，通过在下电极施加不同偏压分别开启或关闭各通道；各通道的吸收层均采用InAsGaSb超晶格并进行p型掺杂；在通道间插入InAsAlSb渐变势垒以抑制载流子反向运输并降低波段串扰；该三色红外探测器简化了工艺流程，减小暗电流与噪声，提高探测性能，适用于多波段红外探测领域。

本发明授权一种基于新型渐变势垒结构的三色红外探测器在权利要求书中公布了：1.一种基于新型渐变势垒结构的三色红外探测器，其特征在于，包括：短波通道区，该短波通道区包括：短波I区超晶格结构，包括InAsGaSb叠层，并进行p型轻掺杂；短波P区超晶格结构，掺杂浓度大于所述短波I区的掺杂浓度，用于提供上电极欧姆接触；渐变势垒层，位于短波通道与中波通道之间，该渐变势垒层包括InAsAlSb叠层，并进行从至的梯度n型掺杂；中波通道区，该中波通道区包括：中波I区超晶格结构，采用InAsGaSb叠层，并进行p型轻掺杂；中波P区；公共接触层，包括GaSb材料，并进行p型重掺杂，用于在所述中波通道与长波通道之间形成电子势垒；长波通道区，该长波通道区包括：长波I区超晶格结构，采用InAsGaSb叠层，并进行p型轻掺杂；M区M型势垒层，在所述长波I区内或与其相邻处插入AlSb层形成M型势垒，用于抑制空穴的反向运输；N区N型掺杂层，位于所述长波I区或M区下方，用于提供下电极的欧姆接触；下电极衬底结构，该下电极衬底结构包括：GaSb衬底；位于所述GaSb衬底之上的缓冲层；其中，所述三色红外探测器仅设置上电极与下电极，通过在下电极施加不同极性及幅度的偏压以分别开启或关闭短波、中波、长波三个探测通道。

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