买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网恭喜正泰新能科技股份有限公司申请的专利一种太阳能电池获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN222750783U 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-11发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520310568.7，技术领域涉及：H10F10/14；该实用新型一种太阳能电池是由章海明;蔡永梅;何胜;徐伟智;黄辉忠;王景凯;李健设计研发完成，并于2025-02-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种太阳能电池在说明书摘要公布了：本实用新型提供了一种太阳能电池。包括：硅基底；第一隧穿层，第一隧穿层具有多个第一缺口；第一结晶导电层，第一结晶导电层延伸至至少一个第一缺口内并与硅基底接触；第二隧穿层，第二隧穿层具有多个第二缺口，多个第二缺口的密集程度大于第一缺口的密集程度；第二结晶导电层，第一结晶导电层和或第二结晶导电层延伸至至少一个第二缺口内，使得第二结晶导电层与第一结晶导电层接触。该太阳能电池的设计不仅有效降低了太阳能电池的载流子复合，提升了电池的钝化效果，而且增加了载流子的传输通道，提高了电池的载流子传输效率，从而提升了太阳能电池的效率。

本实用新型一种太阳能电池在权利要求书中公布了：1.一种太阳能电池，其特征在于，包括：硅基底，所述硅基底具有第一导电类型；所述硅基底的背面层叠设置有第一隧穿层、第一结晶导电层、第二隧穿层、第二结晶导电层和第一钝化层；所述第一隧穿层具有多个第一缺口；所述第一结晶导电层延伸至至少一个所述第一缺口内并与所述硅基底接触；所述第二隧穿层具有多个第二缺口，所述第二缺口的密集程度大于所述第一缺口的密集程度；所述第一结晶导电层和或所述第二结晶导电层延伸至至少一个所述第二缺口内，使得所述第二结晶导电层与所述第一结晶导电层接触；所述第一结晶导电层和第二结晶导电层均具有第一导电类型；背电极，所述背电极穿过所述第一钝化层且至少与所述第二结晶导电层接触；发射极，所述发射极位于所述硅基底的正面且具有第二导电类型；第二钝化层，所述第二钝化层位于所述发射极上；正面电极，所述正面电极穿过所述第二钝化层与所述发射极接触。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人正泰新能科技股份有限公司，其通讯地址为：314400 浙江省嘉兴市海宁市尖山新区吉盛路1号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。