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龙图腾网恭喜半导体元件工业有限责任公司申请的专利具有屏蔽源极的绝缘栅场效应晶体管结构和方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111697075B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201911278314.7，技术领域涉及：H10D30/60；该发明授权具有屏蔽源极的绝缘栅场效应晶体管结构和方法是由吴小利;J·A·叶迪纳克设计研发完成，并于2019-12-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本具有屏蔽源极的绝缘栅场效应晶体管结构和方法在说明书摘要公布了：本发明题为“具有屏蔽源极的绝缘栅场效应晶体管结构和方法”。本发明提供了一种半导体器件，该半导体器件包括半导体材料区域，该半导体材料区域包括第一导电类型的半导体层并且具有第一主表面。与第一导电类型相反的第二导电类型的本体区域设置在从第一主表面延伸的第二半导体层中。本体区域包括：具有第一掺杂浓度的第一区段；以及横向邻近第一区段并邻近第一主表面的第二区段，该第二区段具有小于第一掺杂浓度的第二掺杂浓度。第一导电类型的源极区域设置在第一区段中，但是不设置在第二区段的至少一部分中。绝缘栅极电极与邻接第一区段、第二区段和源极区域的半导体材料区域邻近地设置。导电层电连接到第一区段、第二区段和第一源极区域。在线性操作模式期间，电流首先在第二区段中流动，但不在第一区段中流动，以减小发生热失控的可能性。

本发明授权具有屏蔽源极的绝缘栅场效应晶体管结构和方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件结构，包括：半导体材料区域，所述半导体材料区域包括第一导电类型的第一半导体层并且具有第一主表面；第二导电类型的第一本体区域，所述第二导电类型与所述第一导电类型相反，所述第一本体区域设置在从所述第一主表面延伸的第一半导体层中，其中所述第一本体区域包括：第一区段，所述第一区段具有第一掺杂浓度；和第二区段，所述第二区段横向邻近所述第一区段并邻近所述第一主表面，所述第二区段具有小于所述第一掺杂浓度的第二掺杂浓度；所述第一导电类型的第一源极区域，所述第一源极区域设置在所述本体区域的所述第一区段中，但是不设置在所述第二区段的至少一部分中；绝缘栅极电极，所述绝缘栅极电极与所述半导体材料区域邻近地设置，所述半导体材料区域邻接所述第一区段并且被配置为提供所述第一区段中的第一沟道，邻接所述第二区段并且被配置为提供所述第二区段中的第二沟道，并且邻接所述第一源极区域；第一导电层，所述第一导电层电连接到所述第一区段、所述第二区段和所述第一源极区域；以及第二导电层，所述第二导电层邻近所述半导体材料区域的与所述第一主表面相对的第二主表面。

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