恭喜广东中图半导体科技股份有限公司康凯获国家专利权
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龙图腾网恭喜广东中图半导体科技股份有限公司申请的专利一种图形化复合衬底、制备方法及LED外延片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112993105B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201911296325.8，技术领域涉及：H10H20/82；该发明授权一种图形化复合衬底、制备方法及LED外延片是由康凯;陆前军;向炯设计研发完成，并于2019-12-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种图形化复合衬底、制备方法及LED外延片在说明书摘要公布了：本发明实施例公开了一种图形化复合衬底、制备方法及LED外延片。该图形化复合衬底包括：图形化基底；图形化外延缓冲层，所述图形化外延缓冲层覆盖所述图形化基底，所述图形化外延缓冲层背离所述图形化基底的一侧形成有多个第一微结构，所述第一微结构包括第一异质材料结构，所述第一异质材料结构至少位于所述第一微结构的顶部。本发明实施例解决了图形化蓝宝石衬底在生长氮化镓外延层时仍存在晶格失配，外量子效率小，发光亮度低的问题，实现了增强光提取效率，改善外延生长质量的效果，有助于提高LED的外量子效率。
本发明授权一种图形化复合衬底、制备方法及LED外延片在权利要求书中公布了：1.一种图形化复合衬底，其特征在于，包括：图形化基底；图形化外延缓冲层，所述图形化外延缓冲层覆盖所述图形化基底，所述图形化外延缓冲层背离所述图形化基底的一侧形成有多个第一微结构，所述第一微结构包括第一异质材料结构，所述第一异质材料结构至少位于所述第一微结构的顶部；所述第一微结构还包括位于底部的外延材料结构；以所述图形化基底朝向所述图形化外延缓冲层的方向为第一方向；所述外延材料在所述第一方向上占所述第一微结构的长度比例为R，其中，0%＜R≤95%；所述图形化基底的表面形成有多个第二微结构和或多个凹坑，所述图形化外延缓冲层覆盖所述第二微结构和或所述凹坑。
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