恭喜台湾积体电路制造股份有限公司林大为获国家专利权
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龙图腾网恭喜台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体装置、其形成方法及集成芯片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112349779B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010017314.8，技术领域涉及：H10D30/60；该发明授权半导体装置、其形成方法及集成芯片是由林大为设计研发完成，并于2020-01-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置、其形成方法及集成芯片在说明书摘要公布了：本发明的各种实施例涉及一种半导体装置。半导体装置包含半导体衬底。栅极介电质设置在半导体衬底上方。第一源极漏极区和第二源极漏极区设置在半导体衬底中及栅极介电质的相对侧上。栅极电极设置在栅极介电质上方。第一防凹陷结构嵌入栅极电极中，其中第一防凹陷结构的周界设置在栅极电极的周界内。另提供一种半导体装置的形成方法和包括半导体装置的集成芯片。
本发明授权半导体装置、其形成方法及集成芯片在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，包括：半导体衬底；栅极介电质，设置在所述半导体衬底上方；第一源极漏极区及第二源极漏极区，设置在所述半导体衬底中及所述栅极介电质的相对侧上；栅极电极，设置在所述栅极介电质上方；以及多个防凹陷结构，嵌入所述栅极电极中，其中所述多个防凹陷结构的抛光速率小于所述栅极电极的抛光速率，且所述多个防凹陷结构包括：第一防凹陷结构，其中所述第一防凹陷结构的周界设置在所述栅极电极的周界内；以及第二防凹陷结构，与所述第一防凹陷结构间隔开，且所述第二防凹陷结构的周界设置在所述栅极电极的所述周界内，其中所述第一防凹陷结构设置在所述第二防凹陷结构与所述栅极电极的外侧壁之间，且部分所述第一防凹陷结构设置在所述第二防凹陷结构的最上表面上方。
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