恭喜意法半导体(鲁塞)公司F·拉罗萨获国家专利权
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龙图腾网恭喜意法半导体(鲁塞)公司申请的专利具有浮栅晶体管的物理不可克隆功能的器件及其制造方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN111613255B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-08发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202010108955.4,技术领域涉及:G11C7/24;该发明授权具有浮栅晶体管的物理不可克隆功能的器件及其制造方法是由F·拉罗萨设计研发完成,并于2020-02-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有浮栅晶体管的物理不可克隆功能的器件及其制造方法在说明书摘要公布了:本文描述了具有浮栅晶体管的物理不可克隆功能的器件及其制造方法。根据一个实施例,一种物理不可克隆功能器件包括:浮栅晶体管对集合,浮栅晶体管对集合中的浮栅晶体管具有属于共同随机分布的经随机分布的有效阈值电压;差分读取电路,被配置为测量浮栅晶体管对集合中的浮栅晶体管对的浮栅晶体管的有效阈值电压之间的阈值差,并且将其中所测量的阈值差小于裕度值的浮栅晶体管对标识为不可靠的浮栅晶体管对;以及写入电路,被配置为将不可靠的浮栅晶体管对的浮栅晶体管的有效阈值电压移位到共同随机分布内。
本发明授权具有浮栅晶体管的物理不可克隆功能的器件及其制造方法在权利要求书中公布了:1.一种物理不可克隆功能器件,包括:浮栅晶体管对集合,所述浮栅晶体管对集合中的浮栅晶体管具有属于共同随机分布的经随机分布的有效阈值电压;差分读取电路,被配置为测量所述浮栅晶体管对集合中的浮栅晶体管对的浮栅晶体管的所述有效阈值电压之间的阈值差,并且将其中所测量的阈值差小于裕度值的浮栅晶体管对标识为不可靠的浮栅晶体管对,当所述浮栅晶体管对的第一晶体管的所述有效阈值大于所述浮栅晶体管对的第二晶体管的有效阈值与所述裕度值之和时,检测第一逻辑状态;并且所述差分读取电路被配置为当所述浮栅晶体管对的第二晶体管的所述有效阈值大于所述第一晶体管的所述有效阈值与所述裕度值之和时,检测第二逻辑状态;以及写入电路,被配置为将所述不可靠的浮栅晶体管对的浮栅晶体管的所述有效阈值电压移位到所述共同随机分布内。
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