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龙图腾网恭喜三星电子株式会社申请的专利包括分离的电荷存储层的半导体装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112447751B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010897781.4，技术领域涉及：H10B43/00；该发明授权包括分离的电荷存储层的半导体装置是由林泰洙;李洙衡设计研发完成，并于2020-08-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本包括分离的电荷存储层的半导体装置在说明书摘要公布了：提供了半导体装置。半导体装置包括衬底上的并且相对于衬底的上表面垂直地堆叠的栅电极。半导体装置包括与栅电极交替地堆叠的层间绝缘层。此外，半导体装置包括穿过栅电极的沟道结构。沟道结构中的每一个包括相对于衬底的上表面垂直地延伸的沟道层、沟道层上的隧穿绝缘层、栅电极与隧穿绝缘层的侧表面之间的对应的区中的隧穿绝缘层上的电荷存储层以及分别位于电荷存储层上的第一阻挡绝缘层。第一阻挡绝缘层的第一层位于电荷存储层的第一层的上表面、下表面和侧表面上。

本发明授权包括分离的电荷存储层的半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，包括：栅电极，其在衬底上彼此间隔开，并且相对于所述衬底的上表面垂直地堆叠；层间绝缘层，其与所述栅电极交替地堆叠在所述衬底上；以及沟道结构，其穿过所述栅电极并且相对于所述衬底的上表面垂直地延伸，其中，所述沟道结构中的每一个包括：相对于所述衬底的上表面垂直地延伸的沟道层、位于所述沟道层上并且相对于所述衬底的上表面垂直地延伸的隧穿绝缘层、在所述栅电极与所述隧穿绝缘层的侧表面之间的各自的区中位于所述隧穿绝缘层上的电荷存储层、以及分别位于所述电荷存储层上的第一阻挡绝缘层，其中，所述第一阻挡绝缘层中的第一层位于所述电荷存储层中的第一层的上表面和下表面上，并且还位于所述电荷存储层中的第一层的面对所述栅电极中的第一栅电极的侧表面上，其中，在垂直于所述衬底的上表面的第一方向上，所述电荷存储层中的每一个的高度小于彼此邻近的一对层间绝缘层之间的距离，并且其中，所述电荷存储层包括朝着所述沟道层水平地突出至所述层间绝缘层的侧表面以外的突出部分。

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