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龙图腾网恭喜三星显示有限公司申请的专利显示装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113078185B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010934961.5，技术领域涉及：H10K59/121；该发明授权显示装置是由田中哲弘;金荣奎;徐基盛;李承炫;李昌澔设计研发完成，并于2020-09-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本显示装置在说明书摘要公布了：本公开涉及显示装置，基于一实施例的显示装置包括：基板；多晶半导体，位于基板之上；第一栅极绝缘膜，位于多晶半导体之上；驱动晶体管的栅极电极，位于第一栅极绝缘膜之上；升压电容器的第一电极，位于第一栅极绝缘膜之上；第二栅极绝缘膜，位于驱动晶体管的栅极电极以及升压电容器的第一电极之上；第一层间绝缘膜，位于第二栅极绝缘膜之上；氧化物半导体，位于第一层间绝缘膜之上；第三栅极绝缘膜，位于氧化物半导体之上；第三晶体管的栅极电极，位于第三栅极绝缘膜之上；第四晶体管的栅极电极，位于第三栅极绝缘膜之上，并与第四晶体管的沟道重叠；以及第二层间绝缘膜，位于第三晶体管的栅极电极以及第四晶体管的栅极电极之上。

本发明授权显示装置在权利要求书中公布了：1.一种显示装置，其中，包括：基板；多晶半导体，位于所述基板之上，并包括驱动晶体管的沟道、第一电极以及第二电极；第一栅极绝缘膜，位于所述多晶半导体之上；驱动晶体管的栅极电极，位于所述第一栅极绝缘膜之上，并与所述驱动晶体管的沟道重叠；升压电容器的第一电极，位于所述第一栅极绝缘膜之上；第二栅极绝缘膜，位于所述驱动晶体管的栅极电极以及所述升压电容器的第一电极之上；第一层间绝缘膜，位于所述第二栅极绝缘膜之上；氧化物半导体，位于所述第一层间绝缘膜之上，并包括彼此连接的第三晶体管的沟道、第三晶体管的第一电极以及第三晶体管的第二电极、第四晶体管的沟道、第四晶体管的第一电极以及第四晶体管的第二电极、升压电容器的第二电极；第三栅极绝缘膜，位于所述氧化物半导体之上；第三晶体管的栅极电极，位于所述第三栅极绝缘膜之上，并与所述第三晶体管的沟道重叠；第四晶体管的栅极电极，位于所述第三栅极绝缘膜之上，并与所述第四晶体管的沟道重叠；以及第二层间绝缘膜，位于所述第三晶体管的栅极电极以及所述第四晶体管的栅极电极之上，所述第一层间绝缘膜、所述第三栅极绝缘膜以及所述第二层间绝缘膜的氢浓度低于所述第一栅极绝缘膜以及所述第二栅极绝缘膜的氢浓度，所述氧化物半导体的所述第三晶体管的第一电极以及第二电极、所述第四晶体管的第一电极以及第二电极、所述升压电容器的第二电极用硼、磷、氩、氙以及氪中至少任一种物质掺杂。

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