恭喜中微半导体设备(上海)股份有限公司赵军获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾,真高效! 查专利查商标用IPTOP,全免费!专利年费监控用IP管家,真方便!
龙图腾网恭喜中微半导体设备(上海)股份有限公司申请的专利等离子体处理装置零部件的处理方法、零部件及处理装置获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN114649180B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-08发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202011515986.8,技术领域涉及:H01J37/32;该发明授权等离子体处理装置零部件的处理方法、零部件及处理装置是由赵军;苏兴才设计研发完成,并于2020-12-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本等离子体处理装置零部件的处理方法、零部件及处理装置在说明书摘要公布了:本发明公开了一种改善刻蚀速率的处理方法及等离子体处理装置,该处理方法包含:将零部件置于一真空反应腔;将一热氧化处理的硅晶圆置于该真空反应腔内;生成高致密性硅薄膜:向真空反应腔内通入有机刻蚀气体;向真空反应腔施加一射频信号,射频信号将所述有机刻蚀气体激发为等离子体,该等离子体轰击硅晶圆,生成高致密性硅薄膜覆盖在零部件表面。本发明采用非常低成本的处理气体和镀膜工艺,实现了气体喷淋头等刻蚀腔内可能接触到等离子体的零部件的均匀镀膜,隔绝了零部件的Y2O3涂层或Al2O3SiC涂层与等离子体的直接接触,从而最大程度地减少了微颗粒污染,并且稳定了有机刻蚀反应的反应速率,提高了生产均一性,降低生产成本。
本发明授权等离子体处理装置零部件的处理方法、零部件及处理装置在权利要求书中公布了:1.一种改善等离子体刻蚀速率的处理方法,其特征在于,该方法包含下列步骤:将零部件置于一真空反应腔;将一经过热氧化处理的硅晶圆置于所述真空反应腔内;向所述真空反应腔通入有机刻蚀气体;向所述真空反应腔施加一射频信号,所述射频信号将所述有机刻蚀气体激发为等离子体,所述硅晶圆被等离子体轰击产生的颗粒在所述零部件表面形成硅薄膜;其中,所述零部件是指所述真空反应腔内与等离子体接触的部件。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人中微半导体设备(上海)股份有限公司,其通讯地址为:201201 上海市浦东新区金桥出口加工区(南区)泰华路188号;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息,力求客观、公正,但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解,仅供参考使用,不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。