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龙图腾网恭喜中微半导体设备(上海)股份有限公司申请的专利一种等离子体反应器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114695041B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011558590.1，技术领域涉及：H01J37/32；该发明授权一种等离子体反应器是由涂乐义;叶如彬;杨宽设计研发完成，并于2020-12-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种等离子体反应器在说明书摘要公布了：一种等离子体反应器包括：反应腔，反应腔内底部设有导电基座，所述导电基座通过射频匹配网络连接到射频电源装置，所述导电基座上方用于放置待处理基片，反应腔内顶部包括一个上电极组件，所述导电基座和所述上电极组件之间为等离子体处理空间；一个第一导电接地环围绕围绕设置在导电基座的外围；一第二导电接地环电连接在所述第一导电接地环外侧壁和所述反应腔内侧壁之间，所述第二导电接地环上开设有多个气体通道，以使得所述等离子体处理空间内的气体能够穿过所述多个气体通道被排出；所述导电基座与所述第一导电接地环之间包括一绝缘环，所述绝缘环的介电常数小于3.5。

本发明授权一种等离子体反应器在权利要求书中公布了：1.一种等离子体反应器，其特征在于，包括：反应腔，反应腔内底部设有导电基座，所述导电基座通过射频匹配网络连接到射频电源装置，所述导电基座上方用于放置待处理基片，反应腔内顶部包括一个上电极组件，所述导电基座和所述上电极组件之间为等离子体处理空间；一第一导电接地环围绕设置在导电基座的外围；一第二导电接地环电连接在所述第一导电接地环的外侧壁和所述反应腔的内侧壁之间，所述第二导电接地环上开设有多个气体通道，以使得所述等离子体处理空间内的气体能够穿过所述多个气体通道被排出；所述导电基座与所述第一导电接地环之间包括一第一绝缘环，所述第一绝缘环的介电常数小于3.5；所述第一绝缘环上方包括一耦合环，所述耦合环覆盖第一绝缘环上表面和导电基座的外侧部分上表面，其中耦合环由第一陶瓷材料制成，所述第一陶瓷材料的热导率高于所述第一绝缘环的热导率；所述导电基座下方还设置有一个设备板，所述第一导电接地环围绕所述设备板的侧壁和部分底面；一个第二绝缘环围绕所述设备板，位于设备板和第一导电接地环之间。

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