恭喜联华电子股份有限公司黄俊宪获国家专利权
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龙图腾网恭喜联华电子股份有限公司申请的专利三态内容可定址存储器以及两端口静态随机存取存储器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114792540B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110095452.2，技术领域涉及：G11C11/411；该发明授权三态内容可定址存储器以及两端口静态随机存取存储器是由黄俊宪;郭有策;王淑如;曾俊砚;张竣杰设计研发完成，并于2021-01-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本三态内容可定址存储器以及两端口静态随机存取存储器在说明书摘要公布了：本发明公开一种三态内容可定址存储器与双端口静态随机存取存储器，其包括存储单元以及两晶体管。存储单元包括沿着第一方向延伸的第一主动区、第二主动区、第三主动区与第四主动区、以及沿着第二方向延伸的第一栅极线、第二栅极线、第三栅极线与第四栅极线。第一栅极线横跨第三主动区与第四主动区，第二栅极线横跨第四主动区，第三栅极线横跨第一主动区，且第四栅极线横跨第一主动区与第二主动区。晶体管电连接到存储单元，其中晶体管与存储单元沿着第一方向排列。
本发明授权三态内容可定址存储器以及两端口静态随机存取存储器在权利要求书中公布了：1.一种三态内容可定址存储器，其特征在于，包括：存储单元，包括：第一主动区，沿着第一方向延伸；第二主动区，沿着该第一方向延伸；第三主动区，沿着该第一方向延伸；第四主动区，沿着该第一方向延伸，其中该第一主动区、该第二主动区、该第三主动区与该第四主动区沿着第二方向依序排列；第一栅极线，横跨该第三主动区与该第四主动区并沿着该第二方向延伸；第二栅极线，横跨该第四主动区并沿着该第二方向延伸；第三栅极线，横跨该第一主动区并沿着该第二方向延伸；以及第四栅极线，横跨该第一主动区与该第二主动区并沿着该第二方向延伸；以及两搜寻晶体管，电连接到该存储单元，其中该两搜寻晶体管的组合与该存储单元沿着该第一方向排列。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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