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龙图腾网恭喜爱思开海力士有限公司申请的专利包括层叠基板的半导体装置及制造该半导体装置的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113725189B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110153230.1，技术领域涉及：H01L23/498；该发明授权包括层叠基板的半导体装置及制造该半导体装置的方法是由金基范;金钟薰设计研发完成，并于2021-02-04向国家知识产权局提交的专利申请。

本包括层叠基板的半导体装置及制造该半导体装置的方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种包括层叠基板的半导体装置及制造该半导体装置的方法。一种半导体装置包括垂直层叠在第一半导体基板上的第二半导体基板。第一半导体基板包括覆盖第一半导体基板主体的第一表面的第一扩散阻挡层、以及具有暴露于第一扩散阻挡层的第二表面的第三表面的第一通孔。第二半导体基板包括第二半导体基板主体、直接接合到第一扩散阻挡层的第二表面的第二扩散阻挡层、以及具有比第一通孔的第三表面更小的表面面积并直接接合至第一通孔的第三表面的前焊盘。

本发明授权包括层叠基板的半导体装置及制造该半导体装置的方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，该半导体装置包括：第一半导体基板；以及第二半导体基板，该第二半导体基板垂直层叠在所述第一半导体基板上，其中，所述第一半导体基板包括：第一半导体基板主体；第一扩散阻挡层，该第一扩散阻挡层覆盖所述第一半导体基板主体的第一表面；以及第一通孔，该第一通孔具有暴露于所述第一扩散阻挡层的第二表面的第三表面，其中，所述第二半导体基板包括：第二半导体基板主体，该第二半导体基板主体设置在所述第一半导体基板主体上；第二扩散阻挡层，该第二扩散阻挡层覆盖所述第二半导体基板主体的面对所述第一半导体基板主体的第四表面，该第二扩散阻挡层的第五表面的一部分直接接合到所述第一扩散阻挡层的所述第二表面；以及前焊盘，该前焊盘具有暴露于所述第二扩散阻挡层的所述第五表面的第六表面，所述第六表面具有比所述第一通孔的所述第三表面更小的表面面积，并且直接接合至所述第一半导体基板的所述第一通孔的所述第三表面，其中，所述第二半导体基板直接接合至所述第一半导体基板，其中，所述第一扩散阻挡层包含氮化硅Si3N4和碳氮化硅SiCN中的至少一种，并且所述第二扩散阻挡层包含氮化硅Si3N4和碳氮化硅SiCN中的至少一种。

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