恭喜台湾积体电路制造股份有限公司林玉珠获国家专利权
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龙图腾网恭喜台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利快闪记忆体装置、其形成方法和快闪记忆体单元阵列获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113053902B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110177332.7，技术领域涉及：H10B41/35；该发明授权快闪记忆体装置、其形成方法和快闪记忆体单元阵列是由林玉珠;盤家铭;任啟中;江文智;廖耕颍;董怀仁设计研发完成，并于2021-02-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本快闪记忆体装置、其形成方法和快闪记忆体单元阵列在说明书摘要公布了：一种快闪记忆体装置、其形成方法和快闪记忆体单元阵列，快闪记忆体装置包括在具有第一导电类型掺杂的基板半导体层内形成的浮动栅极电极、在基板半导体层内形成并由浮动栅极电极横向隔开的具有第二导电类型掺杂的一对主动区、在基板半导体层内形成并从浮动栅极电极横向偏离的抹除栅极电极，以及覆盖浮动栅极电极的控制栅极电极。浮动栅极电极可在基板半导体层的第一开口中形成，并且抹除栅极电极可在基板半导体层的第二开口中形成。快闪记忆体装置的多个示例可配置成快闪记忆体单元的二维阵列。
本发明授权快闪记忆体装置、其形成方法和快闪记忆体单元阵列在权利要求书中公布了：1.一种快闪记忆体装置，其特征在于，包括：一浮动栅极电极，在具有一第一导电类型的一掺杂的一基板半导体层内形成；一穿隧介电质，横向围绕该浮动栅极电极；一对主动区，在该基板半导体层内形成，该对主动区具有一第二导电类型的一掺杂，并且该对主动区由该浮动栅极电极及该穿隧介电质的一第一垂直部分沿着一第一水平方向横向隔开；一抹除栅极电极，在该基板半导体层内形成，并且与该浮动栅极电极横向偏离，其中该抹除栅极电极与该浮动栅极电极由该穿隧介电质的一第二垂直部分沿着一第二水平方向横向隔开；及一控制栅极电极，覆盖该浮动栅极电极。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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