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龙图腾网恭喜英诺赛科(珠海)科技有限公司申请的专利一种具有屏蔽栅电极的GaN异质结纵向半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112864226B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110252841.1，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权一种具有屏蔽栅电极的GaN异质结纵向半导体器件是由李茂林;赵起越;蒲小庆;董志文设计研发完成，并于2021-03-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种具有屏蔽栅电极的GaN异质结纵向半导体器件在说明书摘要公布了：本发明提供一种具有屏蔽栅电极的GaN异质结纵向半导体器件，纵向半导体器件包括半元胞结构，半元胞结构包括GaNN型重掺杂层、GaNN型漂移区层、势垒层、漏极、源极和栅极，漏极、GaNN型重掺杂层、GaNN型漂移区层和势垒层自下而上依次层叠设置，源极设在势垒层的上方。源极的下方设有介质槽，介质槽在纵向上贯穿势垒层并向下延伸至GaNN型漂移区层内，介质槽的底壁位于GaNN型漂移区层的上表面和下表面之间，介质槽内设置有隔离介质。半元胞结构还包括屏蔽栅电极，栅极与屏蔽栅电极均位于介质槽内并沿纵向间隔布置，屏蔽栅电极位于栅极的下方，栅极和屏蔽栅电极通过隔离介质隔离。该纵向半导体器件能够减小器件开关损耗，提升器件耐压能力。

本发明授权一种具有屏蔽栅电极的GaN异质结纵向半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种具有屏蔽栅电极的GaN异质结纵向半导体器件，包括半元胞结构，其特征在于：所述半元胞结构包括GaNN型重掺杂层、GaNN型漂移区层、势垒层、漏极、源极和栅极，所述漏极、所述GaNN型重掺杂层、所述GaNN型漂移区层和所述势垒层自下而上依次层叠设置，所述源极设置在所述势垒层的上方；所述源极的下方设置有介质槽，所述介质槽在纵向上贯穿所述势垒层并向下延伸至所述GaNN型漂移区层内，所述介质槽的底壁位于所述GaNN型漂移区层的上表面和下表面之间，所述介质槽内设置有隔离介质；所述半元胞结构还包括屏蔽栅电极，所述栅极与所述屏蔽栅电极均位于所述介质槽内并沿纵向间隔布置，所述屏蔽栅电极位于所述栅极的下方，所述栅极和所述屏蔽栅电极通过所述隔离介质隔离；所述介质槽包括垂直设置的槽侧壁和槽底壁，所述栅极和所述屏蔽栅电极均自所述半元胞结构的侧壁沿水平方向朝向所述槽侧壁延伸；所述栅极的底壁与所述屏蔽栅电极的顶壁之间、所述屏蔽栅电极的底壁与所述介质槽的槽底壁之间、所述栅极的侧壁与所述介质槽的槽侧壁之间，以及所述屏蔽栅电极的侧壁与所述介质槽的槽侧壁之间均设置有所述隔离介质；所述栅极的底壁与所述屏蔽栅电极的顶壁之间的隔离介质的厚度为d1,所述屏蔽栅电极的底壁与介质槽的底壁之间的隔离介质的厚度为d2,所述栅极的侧壁与所述介质槽的侧壁之间的隔离介质的厚度为d3，所述屏蔽栅电极的侧壁与所述介质槽的侧壁之间的隔离介质的厚度为d4;d2和d4均大于d1，且d2和d4均大于d3；所述GaNN型漂移区层内在所述介质槽的下方设置有浮空P-GaN区，所述浮空P-GaN区沿横向自所述GaNN型漂移区层靠近所述介质槽的一侧延伸至所述GaNN型漂移区层的中部；所述浮空P-GaN区与所述介质槽不接触。

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