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龙图腾网恭喜普冉半导体(上海)股份有限公司申请的专利非易失存储器擦除编程方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113077831B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110319206.0，技术领域涉及：G11C16/14；该发明授权非易失存储器擦除编程方法是由陈涛;汪齐方;冯国友设计研发完成，并于2021-03-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本非易失存储器擦除编程方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种非易失存储器擦除编程方法，擦除操作时，将A类存储区的各存储单元进行标准擦除变为擦除状态1，将B类存储区的各存储单元进行弱擦除改变为弱擦除状态；编程操作时，根据编程数据对所述A类存储区存储单元进行编程，使对应于编程数据1的A类存储区存储单元保持擦除状态，使对应于编程数据0的A类存储区存储单元进行标准编程变为标准编程状态0，同时对B类存储区的各存储单元不进行操作仍维持为弱擦除状态。该非易失存储器擦除编程方法，读出电路能根据A类存储区存储单元同B类存储区存储单元的读出电流之间的大小关系来准确确定A类存储区存储单元所存储的数据，能提高存储器产品存储编程数据的可靠性。

本发明授权非易失存储器擦除编程方法在权利要求书中公布了：1.一种非易失存储器擦除编程方法，其特征在于，对于高可靠性要求存储器进行高可靠性擦除编程，对经过高可靠性擦除编程的高可靠性要求存储器读出数据时，在A类存储区存储单元和B类存储区存储单元的字线和位线上施加相同电压，将A类存储区存储单元及B类存储区一存储单元的读出电流都通过位线送到读出电路，读出电路根据一A类存储区存储单元同一B类存储区存储单元的读出电流之间的大小关系，来确定该A类存储区存储单元所存储的数据；高可靠性擦除编程包括以下步骤：一.将存储器的待编程存储单元分为的A类存储区存储单元及B类存储区存储单元；二.对存储器的待编程存储单元进行擦除操作，将A类存储区的各存储单元进行标准擦除变为擦除状态1，将B类存储区的各存储单元进行弱擦除变为弱擦除状态；经过弱擦除的存储单元，其阈值电压介于标准擦除存储单元的阈值以及标准编程存储单元的阈值之间；三.对所述存储器的待编程存储单元进行编程操作，根据编程数据对所述A类存储区存储单元进行编程，使对应于编程数据1的A类存储区存储单元保持擦除状态1，使对应于编程数据0的A类存储区存储单元进行标准编程变为标准编程状态0，同时对B类存储区的各存储单元不进行操作仍维持为弱擦除状态；标准编程是使数据0对应的存储单元的电荷储存层以标准编程电压及标准编程时间进行编程，使该存储单元变为标准编程状态0。

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