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龙图腾网恭喜上海睿驱微电子科技有限公司申请的专利一种具有高抗闩锁能力的IEGT器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113314588B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110518236.4，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权一种具有高抗闩锁能力的IEGT器件是由陆界江;吴磊;李娇设计研发完成，并于2021-05-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种具有高抗闩锁能力的IEGT器件在说明书摘要公布了：本发明公开了一种具有高抗闩锁能力的IEGT器件，在N‑型漂移层的上方间隔设置P型基区和栅极，栅极之间设置所述浮动P区，P沟道MOSFET管设置在浮动P区，除设置有P沟道MOSFET管的P型基区以外的其它P型基区表面一侧设有P+型基区、另一侧设有N+型发射区，N+型发射区上方设有与n+型发射区连接的发射极；N‑型漂移层的下方设置N型缓冲区，N型缓冲区的下方设置所述P‑型集电极区，P‑型集电极区的下方连接集电极。本发明通过在浮动P区增加P沟道MOSFET作为空穴分流器，旁路空穴电流以降低高空穴密度，提高抗闩锁能力。

本发明授权一种具有高抗闩锁能力的IEGT器件在权利要求书中公布了：1.一种具有高抗闩锁能力的IEGT器件，其特征是，包括：发射极、N+型发射区、栅极、浮动P区、P型基区、P+型基区、P沟道MOSFET管、N-型漂移层、N型缓冲区、P-型集电极区、以及集电极；所述N-型漂移层的上方间隔设置所述P型基区和栅极，所述栅极之间设置所述浮动P区，所述P沟道MOSFET管设置在所述浮动P区内，除设置有所述P沟道MOSFET管的所述P型基区以外的其它P型基区表面一侧设有所述P+型基区、另一侧设有所述N+型发射区，所述N+型发射区上方设有与所述N+型发射区连接的所述发射极；所述N-型漂移层的下方设置所述N型缓冲区，所述N型缓冲区的下方设置所述P-型集电极区，所述P-型集电极区的下方连接所述集电极，所述P沟道MOSFET管在IEGT器件的导通周期关断，在IEGT器件的关断期间打开，所述N+型发射区为垂直设置，所述垂直的N+型发射区域使用CVDPSG的横向扩散技术形成，以减小N+型发射区域长度和N+型发射区下寄生电阻，所述CVDPSG的横向扩散技术为：磷硅玻璃和硼磷硅玻璃采用改变刻蚀速率的锥形干法刻蚀，然后采用硼磷硅玻璃回流工艺形成N+型发射区域。

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