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龙图腾网恭喜现代摩比斯株式会社申请的专利功率半导体器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113707707B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110566190.3，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权功率半导体器件及其制造方法是由河定穆;禹赫;金信儿;金台烨设计研发完成，并于2021-05-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本功率半导体器件及其制造方法在说明书摘要公布了：提供了一种功率半导体器件，包括：SiC的半导体层；栅极绝缘层；栅电极层；漂移区，所述漂移区包括所述半导体层中的至少一个突出部分并且具有第一导电类型；阱区，所述阱区包括所述半导体层中的第一阱区并且与所述突出部分接触，以及第二阱区，所述第二阱区位于所述栅电极层外部的半导体层并且连接到所述第一阱区，并且具有第二导电类型；源区，包括第一阱区中的第一源区和第二阱区中并且连接到所述第一源区的第二源区，并且具有第一导电类型；以及栅电极层之下的沟道区，所述沟道区位于所述突出部分和所述第一源区之间的所述半导体层中，并且具有第一导电类型。

本发明授权功率半导体器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种功率半导体器件，包括：碳化硅SiC的半导体层；设置在所述半导体层的至少一部分上的栅绝缘层；设置在所述栅绝缘层上的栅电极层；漂移区，包括设置在所述半导体层中的所述栅电极层下面的至少一个突出部分并具有第一导电类型；阱区，包括第一阱区，所述第一阱区设置在所述栅电极层的下部的所述半导体层中并且与所述至少一个突出部分接触；以及第二阱区，所述第二阱区设置在所述栅电极层外部的所述半导体层中并且连接到所述第一阱区，并且具有第二导电类型；源区，包括设置在所述第一阱区中的第一源区和设置在所述第二阱区中并且连接到所述第一源区的第二源区，并且具有所述第一导电类型；沟道区，设置于所述栅电极层下方，设置在所述漂移区的所述至少一个突出部分与所述第一源区之间的所述半导体层中，并且具有所述第二导电类型；源电极层，连接到所述栅电极层外部的所述第二源区；以及多个阱接触区，形成在所述第二源区中、从所述第二阱区延伸穿过所述第二源区、连接到所述源电极层、并且具有第二导电类型，其中，所述第一源区对称地形成在所述第二源区的两侧，所述多个阱接触区在与所述第二源区的延伸方向相同的方向上以预定距离形成为直线，并且未设置在所述第一源区中，所述第一源区和所述第二源区在两个方向上延伸。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人现代摩比斯株式会社，其通讯地址为：韩国首尔市；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。