恭喜北京京东方传感技术有限公司;京东方科技集团股份有限公司吴艺凡获国家专利权
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龙图腾网恭喜北京京东方传感技术有限公司;京东方科技集团股份有限公司申请的专利天线结构、天线结构的制作方法和电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115483532B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110602260.6，技术领域涉及：H01Q1/38；该发明授权天线结构、天线结构的制作方法和电子设备是由吴艺凡;李月;常文博;肖月磊;曹雪;宋雪超;周毅;韩基挏;周柏君;龚林;曲峰设计研发完成，并于2021-05-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本天线结构、天线结构的制作方法和电子设备在说明书摘要公布了：本申请提供一种天线结构、天线结构的制作方法和电子设备。所述天线结构包括：透明的衬底、设置在所述衬底上的消影层和电极层。所述电极层呈网格状，设置在所述消影层上，包括交叉设置的多个电极条，相邻的电极条之间设置有空隙。在上述实施例中，所述电极层呈网格状排布，有利于改善天线的性能；设置在衬底和电极层之间的消影层可改善电极层的透明效果。
本发明授权天线结构、天线结构的制作方法和电子设备在权利要求书中公布了：1.一种天线结构，其特征在于，包括：透明的衬底；消影层，设置在所述衬底上；电极层，呈网格状，设置在所述消影层上，包括交叉设置的多个电极条，相邻的电极条之间设置有空隙；其中，所述消影层包括至少一个叠层结构，每一叠层结构包括至少两个子膜层，同一叠层结构的每一子膜层具有不同的折射率；当靠近所述衬底的子膜层的折射率小于所述衬底的折射率时，沿自所述衬底至所述电极层的方向，所述叠层结构内的各子膜层的折射率依次减小；当靠近所述衬底的子膜层的折射率大于所述衬底的折射率时，沿自所述衬底至所述电极层的方向，所述叠层结构内的各子膜层的折射率依次增大；抗反射层，设置在所述电极层上，遮盖所述电极条，并具有开口，所述开口暴露电极条之间的所述空隙。
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