恭喜日产化学株式会社上林哲获国家专利权
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龙图腾网恭喜日产化学株式会社申请的专利包含二醇结构的抗蚀剂下层膜形成用组合物获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118295212B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410433349.8，技术领域涉及：G03F7/11；该发明授权包含二醇结构的抗蚀剂下层膜形成用组合物是由上林哲;远藤勇树设计研发完成，并于2021-06-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本包含二醇结构的抗蚀剂下层膜形成用组合物在说明书摘要公布了：提供能够没有孔隙空隙地埋入微细化发展的半导体基板上的微细孔，在膜形成时的膜烧成时产生的升华物少的抗蚀剂下层膜形成用组合物、和兼具在半导体基板加工中作为对湿蚀刻药液的保护膜的功能的药液耐性保护膜组合物。一种抗蚀剂下层膜形成用组合物或保护膜形成用组合物，其包含：下述式1所示的、理论分子量为999以下的化合物；以及有机溶剂。[在式1中，Z1包含含氮杂环，U为下述式2所示的一价有机基，p表示2～4的整数。][在式2中，R1表示碳原子数1～4的亚烷基，A1～A3各自独立地表示氢原子、甲基或乙基，X表示‑COO‑、‑OCO‑、‑O‑、‑S‑和‑NRa‑中的任一者，Ra表示氢原子或甲基。Y表示直接键合或可以被取代的碳原子数1～4的亚烷基，R2、R3和R4各自为氢原子、或者可以被取代的碳原子数1～10的烷基或碳原子数6～40的芳基，R5为氢原子或羟基，n表示整数0或1，m1和m2各自独立地表示整数0或1，＊表示向Z1结合的部分]
本发明授权包含二醇结构的抗蚀剂下层膜形成用组合物在权利要求书中公布了：1.一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含：为下述式a和c～aj所示的化合物中的任一种与1-硫代甘油的反应生成物的、理论分子量为999以下的化合物；以及有机溶剂，
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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