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龙图腾网恭喜中国海洋大学申请的专利一种聚丙烯酸类聚合物修饰基底及其制备方法和在用于制备生物芯片中的应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116003710B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111233069.5，技术领域涉及：C08F292/00；该发明授权一种聚丙烯酸类聚合物修饰基底及其制备方法和在用于制备生物芯片中的应用是由刘婵娟;于广利;李国云;杨鲁瑶设计研发完成，并于2021-10-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种聚丙烯酸类聚合物修饰基底及其制备方法和在用于制备生物芯片中的应用在说明书摘要公布了：本发明公开了一种聚丙烯酸类聚合物修饰基底及其制备方法和在用于制备生物芯片中的应用。所述聚丙烯酸类聚合物修饰基底通过基底上修饰聚丙烯酸类聚合物层来制备，具体步骤为基底清洗与活化、基底表面氨基硅烷化、基底表面修饰引发剂和基底表面修饰聚丙烯酸类聚合物。通过上述方法制备得到的聚丙烯酸类聚合物修饰基底具有良好的稳定性，在生物芯片制备中具有普适性，且制作方法具有操作简单、控制灵活简单、无需特殊设备、成本低廉的特点。

本发明授权一种聚丙烯酸类聚合物修饰基底及其制备方法和在用于制备生物芯片中的应用在权利要求书中公布了：1.一种聚丙烯酸类聚合物修饰基底的制备方法，其特征在于，所述聚丙烯酸类聚合物修饰基底通过基底上修饰聚丙烯酸类聚合物层来制备，具体步骤如下：（1）基底清洗与活化：将基底经超声清洗后吹干，于60℃-80℃的H2SO4H2O2洗液中浸泡，清洗后吹干；（2）基底表面氨基硅烷化：将步骤（1）得到的基底于5%-10%（vv）3-氨基丙基三甲氧基硅烷的乙醇溶液中浸泡2h-5h，清洗吹干；（3）基底表面修饰引发剂：将步骤（2）得到的基底浸泡于1%-3%（vv）1-溴异丁酰溴和1%-3%（vv）二氯甲烷的混合溶液中，反应30min-60min，清洗吹干；（4）基底表面修饰聚丙烯酸类聚合物：体积比为1:1:1的水、甲醇和聚丙烯酸类聚合物混合后脱气，加入终浓度为20mM-50mM的2,2’-二联吡啶、终浓度为120mM-140mM的抗坏血酸和终浓度为10mM-20mM的CuBr，搅拌至充分溶解，将步骤（3）中的基底浸泡在混合溶液中并在惰性气体的保护条件下反应至聚丙烯酸类聚合物成功修饰到基底上，得到聚丙烯酸类聚合物修饰基底；所述基底包括普通玻璃基底、石英玻璃基底、硅基底、金镀金基底、银镀银基底；所述聚丙烯酸类聚合物为甲基丙烯酸、乙基丙烯酸、丙基丙烯酸、2-异丁基丙烯酸、4-羟基丁基丙烯酸、反式-2-丁烯酸中的至少一种。

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