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龙图腾网恭喜鲁东大学申请的专利一种三维外延注入六边形电极硅探测器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114005893B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111361836.0，技术领域涉及：H10F77/20；该发明授权一种三维外延注入六边形电极硅探测器是由蔡新毅;李正;谭泽文;李鑫卿;王洪斐;刘曼文设计研发完成，并于2021-11-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种三维外延注入六边形电极硅探测器在说明书摘要公布了：本发明公开了一种三维外延注入六边形电极硅探测器，包括由多个硅探测器单元组成的硅探测器阵列，所述硅探测器单元包括N型轻掺杂硅基体、阴极铝电极接触层、阴极铝电极接触层、上表面SiO2、N型重掺杂阳极和P型重掺杂阴极，所述先由外延工艺生长出N型轻掺杂硅基体，再通过离子注入进行P型重掺杂阴极进行掺杂，并重复30次，所述P型重掺杂阴极外侧覆盖有阴极铝电极接触层，所述N型轻掺杂硅基体的顶部嵌设有N型重掺杂阳极。本发明探测器阵列在单元下侧连接处增加了阳极，从结构设计上避免了死区的存在，因此具有更加均匀的电势、电场分布，拥有更高的电荷收集率，探测器的性能更加稳定。

本发明授权一种三维外延注入六边形电极硅探测器在权利要求书中公布了：1.一种三维外延注入六边形电极硅探测器，包括由多个硅探测器单元组成的硅探测器阵列，其特征在于，所述硅探测器单元包括N型轻掺杂硅基体5和P型重掺杂阴极4，所述N型轻掺杂硅基体5覆盖于P型重掺杂阴极4的内部和外部，所述P型重掺杂阴极4外侧覆盖有阴极铝电极接触层，所述N型轻掺杂硅基体5的顶部嵌设有N型重掺杂阳极，所述N型重掺杂阳极外侧覆盖阳极铝电极接触层，所述阴极铝电极接触层包括上表面阴极铝电极接触层3和下表面阴极铝电极接触层9，所述硅探测器阵列中N型重掺杂阳极包括上表面N型重掺杂阳极6和下表面N型重掺杂阳极11，所述硅探测器阵列中阳极铝电极接触层包括上表面阳极铝电极接触层1和下表面阳极铝电极接触层8，所述N型轻掺杂硅基体5的上方覆盖有上表面SiO22，所述下表面阳极铝电极接触层8的外部覆盖有下表面SiO2阳极保护环7，所述下表面N型重掺杂阳极11的外部覆盖有下表面N型轻掺杂阳极保护环10。

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